大义钟馗 发表于 2024-10-2 14:21:44

自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世

         9月30日，记者从光谷企业新存科技（武汉）有限责任公司（以下简称“新存科技”）获悉，该公司自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世，有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。

      华中科技大学集成电路学院院长缪向水表示，这一产品是新存科技与华中科技大学长期开展深度产学研合作结出的硕果。“NM101”芯片显著降低了我国对国外存储技术的依赖，加速了国产新型存储器产业化进程，可助力中国数字基建升级，为产业界合力打造数字产业集群添砖加瓦。
       据了解，该芯片采用创新的三维堆叠技术，基于新型材料电阻变化的原理，利用先进工艺制程，在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储器件，实现了存储架构上的重大突破。这一芯片做成的固态硬盘，可为数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低时延的新型存储解决方案。

waldvogel 发表于 2024-10-2 17:08:47

太厉害了 遥遥领先

大义钟馗 发表于 2024-10-3 10:27:16

新型材料电阻变化的原理在于忆阻材料，这种材料的特殊性在于，在外加电压时其电阻会发生变化，随后即使取消外加电压，它也能“记住”这个电阻值。

大义钟馗 发表于 2024-10-3 10:28:11

而华科此前研发的相变存储器（PCM），是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。相变存储器通常是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的一种信息存储装置。

大义钟馗 发表于 2024-10-3 16:04:52

就不知道华科ic学院与新存科技合作研发的NM101”芯片是哪位老师作的基础研究。

jkm 发表于 2024-10-3 16:17:21

应该是院长

念四 发表于 2024-10-3 21:12:02

低调干事
页: [1]
查看完整版本: 自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世