国产新型三维存储器芯片“NM101”面世
9月30日，记者从光谷企业新存科技（武汉）有限责任公司（以下简称“新存科技”）获悉，该公司自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世，有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。华中科技大学集成电路学院院长缪向水表示，这一产品是新存科技与华中科技大学长期开展深度产学研合作结出的硕果。“NM101”芯片显著降低了我国对国外存储技术的依赖，加速了国产新型存储器产业化进程，可助力中国数字基建升级，为产业界合力打造数字产业集群添砖加瓦。 报道说：该存储芯片是“基于新型材料电阻变化的原理”，与相变存储原理相同吗？请专业人士解读一下。
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