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6月13日，集成电路设备与仪器科技发展论坛在武汉举行。校长、中国仪器仪表学会理事长尤政院士参加开幕式并致辞。中国仪器仪表学会集成电路测量与仪器分会主任委员、华中科技大学刘世元教授主持开幕式。来自全国高校及科研单位的百余位专家学者、技术骨干参加论坛，就集成电路设备、仪器及量测技术的前沿进展与产业发展趋势进行研讨% ]! ~+ p. k5 G% c. w
尤政在致辞中指出，高端设备与测试仪器是芯片产业的“工业母机”与“测量标尺”。当前，我国在光刻、检测等核心装备领域已取得阶段性突破。他强调，要坚持原始创新、产教融合与开放协同，加快自主可控进程，为我国高水平科技自立自强筑牢坚实根基。6 g6 d" g, `" d0 K ~/ C3 M8 }
在主旨报告环节，多位院士及行业领军人物分享了最新研究成果。哈尔滨工业大学谭久彬院士以“新一代国家测量体系与仪器产业体系”为题，分析了仪器强国建设的底层逻辑，建议构建基于基本量常数定义的新一代计量体系，推动工业测量数字化智能化转型。华中科技大学陈学东院士以“GKJ动力学设计”为题的报告，聚焦纳米级制造装备面临的极微弱扰动、多场耦合及长时服役性能退化等难题，提出了“动力学设计”新范式，成果可辐射支撑各类高端装备发展。6 V/ n5 @# g, E3 j/ Q, U1 _0 H5 e) }
在工艺与架构创新领域，中国科学院微电子研究所研究员叶甜春作“集成电路器件工艺突破创新”报告，展示了自主工艺体系对12英寸关键装备的支撑成效。长江存储首席科学家霍宗亮以“三维存储芯片集成电路工艺与量测创新发展之路”为题，解读了晶栈（Xtacking）架构技术路径，剖析了三维堆叠中的工艺与量测双重挑战。北京航空航天大学副校长赵巍胜教授在“我国自旋芯片设备与仪器产业链发展：十年积累、前景可期”报告中，回顾了自旋芯片产业链十年国产化历程。中国电子科技集团有限公司测试仪器首席科学家年夫顺作“集成电路与三维封装器件测试技术进展”报告，介绍了国内四大类测试仪器的成体系自主化成果，并展望了硅光集成、AI赋能等新方向。
) @; }0 F/ I5 B Q( {" Q: p在极端光刻胶检测与光刻图形化方面，上海大学副校长张建华教授的报告“极端光刻胶检测新方法新装置”提出了针对极端工艺条件的全新检测方法与装置，攻克了精准检测技术瓶颈。中国科学院微电子研究所研究员韦亚一以“7nm及以下技术节点芯片的光刻图形化方案”为题，详解多次曝光技术的选型与应用逻辑，为先进制程光刻工艺提供了实操方案。深圳中科飞测科技股份有限公司首席科学家黄有为作“3DIC精密量检测技术与设备”报告，推出了成套解决方案，攻克了3DIC集成中的多项量测难题。中国科学院微电子研究所研究员周维虎在“集成电路量检测技术研究进展”报告中展示了微纳尺度检测新技术，适配当下集成电路工艺检测需求。西安交通大学杨树明教授以“集成电路前道量检测技术及设备”为题，系统梳理了前道量测主流技术并预判未来装备发展方向。
9 j$ L8 K ^, s" y3 d论坛由中国仪器仪表学会主办，中国仪器仪表学会集成电路测量与仪器分会、华中科技大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学先进光刻机技术教育部工程研究中心、深圳中科飞测科技股份有限公司联合承办。$ }- V) k$ g/ u
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