2022年ISSCC会议各高校论文入选情况

己不欲，勿施人

转自：https://zhuanlan.zhihu.com/p/421340740  下面数据可能还不完整，欢迎大家补充。
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根据网传信息，今年内地收获颇丰（内地加港澳一共29篇）。下面是小道信息汇总，不一定准，欢迎大家补充和纠正。

清华8篇：RF三篇（陈文华老师、王燕老师、我们团队）、ADC两篇（孙楠老师）、安全芯片一篇（刘雷波老师），ML处理器两篇（尹首一老师）

北大5篇：Serdes两篇（盖伟新老师，112G收发机，200G光接收机）、存内计算一篇、SRAM一篇、神经网络一篇（三篇都是黄如院士大组）

澳大4篇：电源管理两篇、语音识别CNN一篇、低功耗蓝牙一篇（四篇都是R. Martins大组）

复旦4篇：生物传感器一篇（徐佳玮老师），注入锁定时钟一篇（史传进老师），ML处理器一篇（刘明院士大组），曾晓阳老师组还有一篇

浙大3篇：ADC两篇（谭志超老师）、电源管理一篇（屈万园老师）

中科大2篇：电源管理两篇（程林老师）

成电1篇：锁相环（王政老师）

天大1篇：Doherty PA（马凯学老师）

港科大1篇：电源管理一篇（W-H Ki老师）

纽瑞芯1篇：UWB，技术实力超强的海龟初创公司

多说几句。

以前每年ISSCC会议期间都有一次清华校友聚会。

2018年那次魏老师也参加了，当时他在校友聚会上讲了几句话，说ISSCC是清华唯一还没有拿下的半导体领域顶会。

所谓拿下，指的是持续有论文录用，而不是隔几年冒出一两篇。

当时清华在器件顶会IEDM和计算机架构顶会ISCA都能持续产出。ISSCC还不行。

这才三年多过去，俨然已经呈现出全面开花的局面了。不管是新兴的AI芯片、处理器领域，还是传统的射频、ADC，都能有持续的产出。

发展真是太快了，肉眼可见的快！

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7 z! ~5 f2 N* s3 g

己不欲，勿施人

我的第一帖

llivs

中科院的数据没有吗

White_black

近两年是越来越多了

己不欲，勿施人

llivs 发表于 2021-11-2 23:31
中科院的数据没有吗

木有，我也是“外卖小哥”

White_black

llivs 发表于 2021-11-2 23:31
0 f5 b# [+ m6 F1 K1 L/ G4 V中科院的数据没有吗

9 q" q' ~* o5 v9 B中科院很少吧 我记得就微电所发过一两篇

White_black

搬运一张去年的
, y: K1 W* o. g( h4 b

吴思齐

我印象里 半导体所计算所以前都发过isscc

xxxplay

清北牛B

跳哥

己不欲，勿施人 发表于 2021-11-2 23:29
我的第一帖

顶。欢迎多多发贴！！！

inature

清华这两年逆袭了啊

White_black

吴思齐 发表于 2021-11-2 23:49
; `- f% S) R; h" \# Y, T4 k( e我印象里 半导体所计算所以前都发过isscc

, P+ s5 \2 Y7 l8 L; |你是对的，都发过，近几年没怎么看到

inature

9 z+ s/ ], R& [* V  p+ y0 v7 PISSCC 2021大陆高校录用情况
ISSCC，集成电路设计领域的奥林匹克，当之无愧的行业顶会。大陆高校第一作者和第一机构录用论文数21篇，再次刷新去年15篇的新高度。
清华6，北大4，电子科大3，浙大2，中电科38所、东南、中科大、中科院微电子所、百度、南京低功耗芯片技术研究院有限公司各1篇。

$ m1 M& y$ I' P+ }+ QISSCC 2020年的论文中，大陆+港澳入选的论文总数达到了23篇，总数量创造了历年之最，仅次于美国、韩国，其中大陆有15篇，澳门6篇，香港有2篇。
不过与欧美日韩的论文主要来自科技公司不同，国内的ISSCC论文还是以科研机构及高校为主，其中清华大学有5篇入选，电子科大有3篇，北大、东南大学、西安交大、天津大学、复旦大学、上海交大各有1篇，还有1篇来自重庆线易电子科技公司。


6 q8 Q' w# f! ~' x7 YIEEE  ISSCC 历年录用情况:
截至2019年，中国大陆各机构共录用33篇，其中复旦大学共11篇，清华大学共7篇，ADI公司(京沪两地)共5篇，中国科学院各研究所共4篇。
7 l4 Y0 z, c9 v4 m5 r) Q1 M
2019年，9篇(复旦3篇，清华、ADI各2篇，上海交大、东南大学各1篇，上交、东南均为历史第1次)
, T" D6 ^$ o" ?+ i
7 z" M$ U' \. g- u/ ]9 _0 T2018年，5篇 (复旦2篇，北大、电子科大、北京ADI各1篇，北大和成电均为历史第1次)

- c# L. [3 f! E6 p  T6 ~作为对比，2018年英特尔、三星分别入围9篇。
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4 j& }+ J8 Z2 P——  ——
7 W* b8 ?& J+ w9 K9 [2 t
天朝（大陆地区）中过几篇ISSCC？以下统计截至2017年:

/ _" f* K  Z) ?* h+ ]虽然改革开放国力昌盛，但是在集成电路领域的盛会ISSCC上，大陆地区的录用论文数仍然每年都在和3以下的整数做斗争，而且随时可能挂零：
$ K1 z& O  W4 X0 ]) Q5 K# X8 V& B
/ F4 n7 k  `* B2 h5 v; O2017年，1篇（北京ADI）
- j. P& H$ `+ S/ T" Z  ~* ^
$ y# h7 M! y9 z5 V2016年，2篇（上海ADI，清华大学）
9 w7 F2 _+ r) R9 X; K, ~; }
2015年，0篇
/ l; K" s3 r& l$ \7 {' v
2014年， 3篇（复旦大学、中科院计算所、清华大学）
1 M6 u. G' l* v4 l
& g& n% M, G# |0 s* A2013年，3篇（复旦大学2篇，中科院计算所1篇）
& y6 n' \9 P! q2 O# R8 T
2012年，1篇（复旦大学）
- k* m4 q" K( L4 v9 U) V9 R& X
2011年，3篇（复旦大学、中科院/龙芯、清华大学）

2010年，0篇
% V/ V7 u$ G; ]8 w5 t4 p
% Z" |9 A, ~7 n- _8 t2009年，2篇（复旦大学、清华大学）
& H. q4 M# k( \9 x; W1 Y9 k: t. f
2008年，1篇（清华大学）
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( i5 @8 r9 B  p& E- s0 m( C2007年，1篇（上海鼎芯）

  G* w6 D5 Z/ I2 }8 x; v2006年，1篇（中科院半导体所）

2005年，1篇（上海新涛）
; f9 A' x9 y; |5 T. Y! B$ Q+ c+ c
# a0 h+ m+ g9 L5 g6 v5 b5 b2 s（这里没有省略号了，若有遗漏请评论）
% w9 G- K- F( T4 ^9 \% W
相比之下，每年ISSCC的录用总论文数在150篇左右，同为华人的港澳台地区，每年论文入取数常超过20篇。而大陆地区的历史总和（19篇）还没有超过这个数字。
) ?0 ~* Z- d% n% R
3 y9 F7 q2 y, Y' s* c9 G截至2017年，我国微电子领域的两所最高学府经年累计才只有6篇（复旦）、5篇（清华）。只能感叹——革命尚未成功，同志仍需努力。

0 _4 g" K0 {3 a) s2 Y5 P" TISSCC是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的缩写，是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“世界奥林匹克大会”。
% c3 |8 l# D; \/ ~. U8 O
1 `% K! y6 p6 w) i; R3 V1 k$ D中文名  ISSCC
6 }9 \1 l; f/ W$ k) e% A- b
外文名  IEEE International Solid-State Circuits Conference

9 U' z- T% k& ^9 T) B4 ?, ~基本介绍

始于1953年的ISSCC（International Solid-State Circuits Conference）国际固态电路年度会议，通常是各个时期国际上最尖端固态电路技术最先发表之地。由于ISSCC在国际学术、产业界受到极大关注，因此被称为集成电路行业的奥林匹克大会。每年吸引了超过3000名来自世界各地工业界和学术界的参加者。

+ N6 A7 ]  J' w" a) y  A在ISSCC60年的历史里，众多集成电路历史上里程碑式的发明都是在这上面上首次披露。比如世界上第一个TTL电路 (1962年),世界上第一个集成模拟放大器电路(1968年), 世界上第一个1kb的DRAM (1970年), 世界上第一个CMOS electronic wristwatch (1971年), 世界上第一个8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一个32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一个1Mb的DRAM (1984年), 世界上第一个1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一个集成 GSM transceiver (1995年), 世界上第一个GHz的微处理器 (2002), 世界上第一个多核处理器 (2005年)等等。

己不欲，勿施人

复旦这两年明显落伍了，优秀青年人才引进不多

SIYUAN

己不欲，勿施人 发表于 2021-11-3 00:36
复旦这两年明显落伍了，优秀青年人才引进不多

# M/ |) }; k% U9 T+ g也算是国内飞速进步了，所谓累计到17年才有复旦6篇清华5篇，现在都只是一年的量了

changwu

现在的ISSCC已经和10年、20年前没法比了，国外牛校做集成电路设计研究的越来越少，找不到什么学术亮点。
1 {0 ^. |2 I' K9 K9 N  H看看中国今年的论文，也是电源管理、ADC这种传统方向为主。

whale

砸钱还是有效果，随着近两三年资本涌入，除了产业有进步，起薪基本追平计算机，学术也有大的起色

academic818

土浙这两年有点起色了

ENSE

华东师范VLSI一篇

ENSE

VLSI（超大规模集成电路国际研讨会）与ISSCC（国际固态电路会议）、IEDM（国际电子器件会议）并称微电子技术领域的“奥林匹克盛会”，VLSI是超大规模集成电路和半导体器件领域里最顶尖的国际会议之一，每年Intel、IBM、Samsung、TSMC等知名半导体公司都在会上发布最新研究进展。自1980年创办至今，VLSI Technology在中国大陆地区共收录论文26篇。  　　6月13日至6月19日，第41届超大规模集成电路国际研讨会（2021 VLSI）以在线点播（On-demand）和线上实时（Live）的形式举行，华东师大物理与电子科学学院电子科学系/极化材料与器件教育部重点实验室/校电镜中心黄荣/成岩团队的论文In-situ atomic visualization of structural transformation in Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric thin film: from nonpolar tetragonal phase to polar orthorhombic phase入选2021 VLSI Technology，成岩老师应邀作会议报告。该研究工作由华东师范大学与中科院微电子所共同合作完成，华东师范大学电子科学系博士研究生郑赟喆和钟超荣为论文的共同第一作者，成岩副研究员和中科院微电子所吕杭炳研究员为论文的共同通讯作者。

ffpigsai

其实复旦微电子这几年引进不少人，估计接下来会逐渐发力

xxxplay

天大1篇：Doherty PA（马凯学老师）
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: s$ R: J0 r2 E- X' q  V
马老师，成电跳槽过去的，
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- n; C7 H4 W( G/ N+ ]
心疼下成电

loophui

我大西交貌似中过一篇