北京大学15篇论文入选ISSCC，世界第一，称霸芯片设计领域！

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近日，第72届国际固态电路大会（ISSCC 2025）于2025年2月16日至20日在美国旧金山举行。该大会在业界被誉为“芯片设计国际奥林匹克”，是芯片设计领域极具影响力的盛会。在本届大会上，北京大学共有15篇高水平论文入选，研究成果涵盖模拟与混合、人工智能和数字加速、图像、有线通信等多个领域。按照论文第一单位统计，北京大学成为本届ISSCC大会国际上录用论文最多的单位。此外，唐希源研究员担任会议TPC成员，并担任噪声整形与SAR ADC分论坛主席；沈林晓研究员受邀发表题为“High-Performance Discrete-Time Amplifiers Utilizing Time-Varying Settling Processes”的Forum报告。大会还颁发了2024—2025年度SSCS国际固态电路协会博士成就奖，集成电路学院博士生叶思源、许欣航获奖。

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北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在人工智能和数字加速方面发表论文4篇，内容包括：
（1）可满足性求解器（论文题目：SKADI: A 28nm Complete K-SAT Solver Featuring Dual-path SRAM-based Macro and Incremental Update with 100% Solvability，博士生吴子涵为第一作者，通讯作者为唐希源、王源）；
（2）基于存算一体的多内容生成扩散模型加速器芯片（论文题目：A 22nm 60.81TFLOPS/W Diffusion Accelerator with Bandwidth-Aware Memory Partition and BL-Segmented Compute-in-Memory for Efficient Multi-Task Content Generation，博士生景亦奇为第一作者，通讯作者为贾天宇、叶乐）；
（3）超低功耗语音活动检测检测芯片（论文题目：A 0.22mm2161nW Noise-Robust Voice-Activity Detection Using Information-Aware Data Compression and Neuromorphic Spatial-Temporal Feature Extraction，博士生刘影、李杰和硕士生张麒宁为共同第一作者，通讯作者为沈林晓、王志轩）；
（4）Nebula——用于三维点云分析的高能效神经网络加速器（论文题目：A 28nm 109.8TOPS/W 3D PNN Accelerator Featuring Adaptive Partition, Multi-Skipping, and Block-Wise Aggregation，北京大学深圳研究生院信息工程学院博士周长春为第一作者，通讯作者为杨玉超、焦海龙，是北京大学深圳研究生院首次在ISSCC发表论文）

在图像芯片方面发表了论文1篇，内容包括：
（1）采用光电流自驱动的像素级电流相位型ADC的红外焦平面成像芯片（论文题目：A 320×256 6.9mW 2.2mK-NETD 120.4dB-DR LW - IRFPA with Pixel-Paralleled Light-Driven 20b Current-to-Phase ADC，博士生卓毅为第一作者，通讯作者为张雅聪、鲁文高）

在有线通信方面发表论文4篇，内容包括：
（1）突发模式快速响应接收机芯片（论文题目：A 50Gb/s Burst-Mode NRZ Receiver with 5-Tap FFE, 7-Tap DFE and 15ns Lock Time in 28nm CMOS for Symmetric 50G-PON，博士生张泊洋、叶天辰为共同第一作者，通讯作者为盖伟新）；
（2）高密度无源信道信号完整性测试芯片（论文题目：A 99.5mW/port DC-to-40GHz Integrated Channel Analyzer for High-Density Signal Integrity Measurement in 28nm CMOS，博士生吴广栋、李元梁和博士毕业生叶秉奕为共同第一作者，通讯作者为盖伟新）；
（3）224Gb/s极短距接收机芯片（论文题目：A 1.11pJ/b 224Gb/s XSR Receiver with Slice-Based CTLE and PI-Based Clock Generator in 12nm CMOS，博士毕业生叶秉奕为第一作者，通讯作者为盖伟新）；
（4）面向芯粒集成的全双工收发机芯片（论文题目：A 64Gb/s/wire 10.5Tb/s/mm/layer Single-Ended Simultaneous Bi-Directional Transceiver with Echo and Crosstalk Cancellation for a Die-to-Die Interface in 28nm CMOS，博士生王知非为第一作者，通讯作者为盖伟新）

在模拟与混合信号集成电路方面发表论文6篇，内容包括：
（1）采用增益嵌入式自举采样器的高能效ΔΣ模数转换器芯片（论文题目：A 12.2uW 99.6dB-SNDR 184.8dB-FOMs DT Zoom PPD ΔΣM with Gain-Embedded Bootstrapped Sampler，博士生栾耀晖为第一作者，通讯作者为沈林晓）；
（2）高精度高能效免校准流水线-逐次逼近型模数转换器芯片（论文题目：A 93.3dB SNDR, 180.4dB FoMs Calibration-Free Noise-Shaping Pipelined-SAR ADC with Cross-Stage Gain-Mismatch Error Shaping Technique and Negative-R-Assisted Residue Integrator，博士生高继航为第一作者，通讯作者为沈林晓，该论文遴选为2025 ISSCC Data Converter方向亮点论文）；
（3）高精度低延迟模数转换器芯片（论文题目：A 184.8dB-FoMs 1.6MS/s Incremental Noise-Shaping Pipeline ADC with Single-Amplification-Based kT/C Noise Cancellation Technique，博士生王宗楠为第一作者，通讯作者为唐希源）；
（4）高能效轨到轨高线性度噪声整形逐次逼近模数转换器系统芯片（论文题目：A Rail-to-Rail 3rd-Order Noise-Shaping SAR ADC Achieving 105.4dB SFDR with Integrated Input Buffer Using Continuous-Time Correlated Level Shifting，博士生叶思源为第一作者，通讯作者为沈林晓）；
（5）易驱动的轨到轨高能效流水线-逐次逼近型模数转换器芯片（论文题目：An Easy-Drive 16MS/s Pipelined-SAR ADC Using Split Coarse-Fine Input Buffer Sampling Scheme and Fast-Robust Background Inter-Stage Gain Calibration，博士生陈卓毅为第一作者，通讯作者为沈林晓）；
（6）高精度电容读出芯片（论文题目：A 185.2dB-FoMs 8.7-aFrms Zoomed Capacitance-to-Digital Converter with Chopping-Based kT/C Noise Cancellation and Add-Then-Subtract Phase-Domain Lead-Compensation Techniquess，博士生李秉芮为第一作者，通讯作者为唐希源）。

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背景介绍：ISSCC（国际固态电路年度会议）于每年2月中旬在美国旧金山举行，是全球芯片设计领域最具影响力、最权威的学术盛会，被誉为“集成电路设计领域的奥林匹克大会”，该会议吸引了来自世界各地的工程师、科学家和产业专家，共同探讨集成电路技术的最新进展和未来趋势。每年约有200项芯片实测成果入选，其中约四成来自于国际芯片巨头公司，如英特尔、三星、台积电、AMD、英伟达、高通、博通、ADI、TI、联发科等。其余六成左右的芯片成果则来自高校和科研院所。历年入选的成果代表着当年度全球领先水平，展现出芯片技术和产业的发展趋势。多项“芯片领域里程碑式发明”首次在ISSCC上披露，例如世界上第一个集成模拟放大器芯片（1968年）、第一个8位微处理器芯片（1974年）和32位微处理器芯片（1981年）、第一个1Gb内存DRAM芯片（1995年）、第一个多核处理器芯片（2005年）等。这一盛会不仅是学术交流的平台，更是推动芯片技术创新的重要驱动力。

爱荷

集成电路这块，北大稳居世界第一。

爱荷

去年就多项第一的。

雁塔晨钟

一篇的优势险胜清华，近3年总数和清华差距还是不小

爱荷

来自北大集成电路学院官网2024年度回顾。其中：  IEDM（器件领域）保持领先地位，入选文章数量连续第四年排名全球高校第一；  EDA领域顶级会议ICCAD文章数量首次排名全球第一；  IEEE MEMS（微机电系统领域）入选文章数量再次排名国内高校第一；  ISSCC（设计领域）本年取得突破，入选文章数量首次排名全球高校第一位；  荣获ISSCC 2023年度唯一最佳论文奖，既是集成电路设计领域国际年度唯一最高学术荣誉，也是ISSCC自1953年创办70年以来国内（含港澳地区）首次获奖

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雁塔晨钟 发表于 2025-2-28 12:37
一篇的优势险胜清华，近3年总数和清华差距还是不小

是的，但是至少说明pku也在奋起直追

NKU

清北大牛

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爱荷 发表于 2025-2-28 12:39
来自北大集成电路学院官网2024年度回顾。其中：  IEDM（器件领域）保持领先地位，入选文章数量连续第四年排 ...

器件领域一直是第一，这下设计领域也要当第一了

爱荷

北大的学科结构，决定了它能发展出很多顶尖的学科。