上交物理学院史志文联合四校2025年第一篇science

huangpu09 · 发表于 2025-3-14 08:23:50

上海交通大学史志文教授、武汉大学欧阳稳根教授、浙江大学金传洪教授、中科院物理所张广宇教授报告了在六方氮化硼(hBN)基材上直接生长密排SWNT阵列的情况，结果显示每个阵列内都具有高度排列整齐和均匀的手性。分子动力学模拟表明，自组装生长机制是由管间范德华引力和SWNT在原子级平坦的hBN基材上的超低滑动摩擦引起的。由生长的SWNT阵列构成的场效应晶体管在室温下表现出高性能，迁移率高达每伏每秒2000平方厘米，开/关比为~107，最大电流密度为~6毫安每微米。相关研究成果以题为“Homochiral carbon nanotube van der Waals crystals”发表在最新一期《science》上。