首篇！湖南大学在 Science 发表最新成果

大力水手

湖南大学发表《高性能p型2D半导体晶体管的栅极驱动带调制高掺杂》研究成果。

研究表明，III型范德华异质结构中的层间电荷转移掺杂可以通过外部栅极进行极大的调制，以实现超掺杂效应。系统的门控霍尔测量显示，调制载流子密度约为栅极电容电荷的五倍，实现了每平方厘米1.49×1014的超高二维空穴密度，达到世界领先水平。

东南大学为论文第二单位，合肥工业大学为论文共同第一作者单位（排第三）。

段曦东，教育部特聘教授，湖南大学化学化工学院教授，主要从事从事二维材料的制备，物性研究和应用研究等。

在湖南大学获得学士、硕士和博士学位。曾获国家自然科学二等奖（第三完成人）、湖南省自然科学一等奖等奖项。

论文通讯作者为湖南大学段曦东教授。

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shanhaisanren

湖大发几篇半导体的顶刊了，厉害

曾经沧海难为水

貌似是段镶锋的亲哥哥吧。

xxst

恭喜，去年好像也发了一篇

1944931585

段曦东总共发了4P N/S

bling

厉害了，这个研究很硬核

mike99

祝贺恭喜！

cugyink

腻害，恭喜恭喜

alpha

一作目测是通信作者的学生，东南大学物理学院新晋优青，已经两篇正刊了

1944931585

xxst 发表于 2025-6-13 09:50
恭喜，去年好像也发了一篇

0 R3 S: h. ~: s6 W  X: A去年是物电学院刘渊发的N

1944931585

湖南大学新发《Science》，主编给予高度评价     原创      美博老李        科研城邦     2025年06月13日 10:12 美国   1人                         2025年6月，湖南大学化学化工学院段曦东教授团队在国际顶级期刊《Science》发表研究论文《Gate-driven band modulation hyperdoping for high-performance p-type 2D semiconductor transistors》，提出一种突破二维半导体掺杂瓶颈的新机制，在p型晶体管性能上创下新高。  该研究聚焦于二维半导体材料中长期存在的空穴掺杂难题。由于2D材料结构极薄，传统的离子注入方法难以实现有效掺杂。段曦东团队通过构建III型范德华异质结构，并施加外部栅极偏压，有效调控能带对齐和层间电荷转移，实现了前所未有的“超掺杂”（hyperdoping）效应。系统霍尔测量显示，所得二维空穴密度达每平方厘米1.49×10¹⁴个，远超电介质击穿极限下的传统静电掺杂能力。 借助这一高效空穴调控机制，研究团队制备的p型二维晶体管在性能上实现突破：接触电阻低至约0.041千欧·微米，导通电流密度高达2.30毫安/微米，均为同类器件的领先水平。  《Science》副主编Phil Szuromi在评论中指出：“能带对齐效应使得在二硒化钨与硫化亚锡的异质结构中可实现极高水平的空穴掺杂。这一方法突破了传统介质极限，为未来二维器件提供了重要技术路径。”他强调，通过栅极调控范德华界面的能带偏移和电荷转移，不仅实现了有效掺杂，更保留了材料的完整性与器件可控性。 值得一提的是，段曦东团队2017年曾在《Science》首次实现2D异质节与超晶格的可控外延生长，是湖南大学在国际顶刊上的重要突破。本次发文再度展现了其在二维材料生长、掺杂与器件构建方面的领先水平。

大力水手

顶刊好比绝活，多少不论，985高校没有是不行的

1944931585

段的近几年成果报自二应该可以的！

山海城工

祝贺！终于有1篇了。

billdon

热烈祝贺，更上层楼！

1944931585

湖大没科研经费，每年能发1-2篇就不错了！

hejicker

祝贺湖大！

1944931585

段曦东在2017年发过1PS

1944931585

曾经沧海难为水 发表于 2025-6-13 09:18
6 u& K' ^: Z( B4 @& b3 {  o) }# [' J貌似是段镶锋的亲哥哥吧。

0 g. b- H0 q: B7 e( P' o5 O是的，美国制裁前他是湖大讲授教授。