王阳元院士：创建中芯国际

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1999年，在党中央国务院对高新技术发展高度重视和国民经济高速发展的形势下，我国微电子产业建设迎来了一个新的快速发展时期。在总结国际集成电路产业的发展规律以及我国集成电路产业几十年来发展历程的基础上，我认为我国集成电路产业发展的关键在于：在机制上要有所创新，要突破传统模式，走开放改革之路；要利用国内、国际两种资源，面向国内、国际两个市场，引进组织国际化的一流爱国团队和技术，共同创建我国具有世界先进水平的集成电路制造企业。


1999年年底，适逢张汝京博士等一行来国内考察建设集成电路生产线的可能性，经过信息产业部有关人士的介绍，我们当即约定会面。和张先生见面后，我首先阐述了建设集成电路生产线的建议和可行性，随后在他们考察的基础上，我们第二次在深圳听取了他们的报告，共同讨论合作建设的方案和措施。这真是“天时、地利、人和”，就是这短短两次的会谈，成就了中芯国际集成电路制造有限公司(简称中芯国际)的创建。


2000年1月，中芯国际召开了第一届董事会，决定总部设在上海。2000年8月，中芯国际在上海浦东张江正式破土动工，13个月后，2001年9月25日即建成投产。2003年，中芯国际一厂被世界知名的《半导体国际》评为全球最佳半导体厂之一。


在北京市政府的大力支持下，2002年9月，我国第一个晶片直径300 mm的集成电路制造厂在北京亦庄兴建，仅用了2年时间。2004年9月25日，300 mm纳米级的集成电路制造厂正式投产。时任北京市委书记刘淇和市长王岐山同志亲自参加了投产典礼。时任国务院总经理温家宝和国务院其他领导，以及著名科学家周光召院士、师昌绪院士等先后视察300 mm厂的生产情况，对我们倍加赞赏。


中芯国际最核心的理念是贯彻改革开放精神，开创了一个与国际接轨的运作模式，不仅在资本、技术、市场、人才等各个方面充分利用国内外两种资源，同时也为逐步培养我国本土人才和进行自主研发提供了一个技术与产业化的平台。《中国集成电路产业全书》的主要编委们经过认真讨论，一致认为中芯国际的创建在我国集成电路产业发展中具有里程碑意义。


从创立中芯国际开始，我一直担任其国内企业的董事长和法人代表，后又任其国际企业的董事长。张汝京开始任国际企业董事长和所有公司的CEO。2009年，在与中芯国际共同经历10年风雨之后，我辞去了中芯国际董事和董事长职务，改任中芯国际名誉董事长和首席科学家。在我离开董事长岗位时，中芯国际董事会赠送给我一个特意制作的纪念鼎，上面刻着：“王阳元教授，作为创始人之一，于2000—2009年期间，在创立和建设中芯国际集成电路制造有限公司的过程中，无私奉献，建立了不可磨灭的历史性功绩，为中国和世界集成电路产业和科学技术的发展作出了卓越的贡献。”

本来无所谓

哪怕一辈子只做成这么一件事，也值得骄傲了。

tsenway

钦差老总。

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中芯国际宣布委任王阳元为董事长
https://www.smics.com/site/news_read/2413

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前不久，集成电路产业领域迎来了重磅权威发声！


北京大学集成电路学院名誉院长、中芯国际创始人之一王阳元，联手北方华创董事长、长江存储董事长、华大九天董事长等龙头企业掌舵人，共9位芯片界、学界泰斗与产业领袖，在《科技导报》上聚焦国产集成电路自主化发展核心议题进行了联名撰文





构建自主可控的集成电路产业体系——“十五五”期间对中国集成电路产业发展的思考与建议
科技导报

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3） 超越摩尔和丰富摩尔。
未来5年先进逻辑器件的发展，必须是器件结构、互连、新材料、新工艺以及EDA软件的全方位协同创新。围栅晶体管（gate−all−around FET，GAAFET）将取代FinFET，是未来5年内先进逻辑器件的主流方向。GAAFET的具体实现形式主要包括纳米片（nanosheet）和叉片（forksheet）结构。纳米片是目前产业界公认的主流GAAFET结构。此外，垂直场效应晶体管（vertical field effect transistor，VFET）、倒装堆叠晶体管（flip−FET或FFET）和互补场效应晶体管（complementary FET，CFET）同是3D新器件结构的研究方向（图13）。其中FFET于2023年由北京大学黄如院士团队在全球范围内首次提出，是当前设备成熟度、工艺成熟度最高的不依赖于EUV实现3~2 nm的中国路径，有望在全球实现技术引领。该技术通过在同一晶圆的正反两面分别形成有源器件与金属互连网络，并通过垂直通孔实现双面器件、双面电路的电源与信号互连，可将单片晶圆上的晶体管密度提升50%以上，并增加芯片的布局布线空间和自由度，可大幅提升芯片集成度。FFET概念首次发表于2024年超大规模集成电路（very large scale integration circuit，VLSI）国际技术会议，并在2025年VLSI国际技术会议上首次发表了正背面器件验证成果，引起了国际集成电路产业界的广泛关注（图14）。

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北京大学积极拓展与国内外科技企业的联合创新，探索校企协同创新的联合研发平台合作模式，努力构建与世界一流大学相适应的新型校企合作关系。


华为技术有限公司与北京大学半导体技术联合实验室二期

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北京大学-华为技术有限公司半导体技术 联合实验室学术研讨会圆满召开

2024年6月30日，北京大学-华为技术有限公司半导体技术联合实验室（以下简称“联合实验室”）学术研讨会在京顺利召开。

联合实验室一期技术委员会主任黄如院士，北京大学副校长朴世龙院士，北京大学科技开发部姚卫浩部长、郑如青副部长，集成电路学院院长蔡一茂教授，华为北京研究所姜向中所长，研发部长夏禹，产业生态首席专家王志敏及北大、华为相关部门负责老师、技术专家等100余人出席本次研讨会。会议由北京大学集成电路学院党委书记王源主持。

北大、华为双方高度肯定了联合实验室一期取得的成果，并携手展开二期合作。未来联合实验室将继续在基础科学研究、技术探索等层面开展工作，在创新人才培养、研究成果转化、平台管理运行等方面提质增效，打造校企联合创新平台的标杆示范，为推动我国集成电路产业高质量发展作出贡献。

https://ic.pku.edu.cn/kxyj/kydt/ef5b48d41e854b2ab856a8642aa1337a.htm

假面

他是汉芯的总评委吧