合肥长鑫存储2026年第一季度上市，市值会破3000亿人民币

冠冕 · 发表于 2025-10-23 20:53:30

反正这两年大量的国内半导体公司也到了上市a股的关头，到时候各家市值多少自是一目了然，吹也没有用

曾经沧海难为水 · 发表于 2025-10-23 21:12:30

长鑫存储也开始发IEDM了。

zeians · 发表于 2025-10-23 22:56:13

本帖最后由 zeians 于 2025-10-25 10:07 编辑

届时合肥两家3000Y市值的企业，仅次于北上深了。

工科强笑的乐瑟们又要气疯了。

kjybig · 发表于 2025-10-23 23:49:58

合肥长鑫是不是和兆易创新有关系

ustcharvard · 发表于 7 天前

BTBU 发表于 2025-10-23 20:36
你也狭隘了，哪里人重要么，关键是能在安徽纳税，这才是最实际的

我说的安徽人就是指在安徽。他籍贯不重要。

冠冕 · 发表于 7 天前

Seeseesee 发表于 2025-10-23 16:55
长鑫就是合肥市政府给清华系的送礼项目。合肥市政府出资，技术来源上面有人说了，清华的founder并没有内 ...

送礼干嘛？为什么要送？

我是谁 · 发表于 6 天前

ustcharvard 发表于 2025-10-23 14:24
就在家门口，先把科大血脉塞进去。工科人脉不就是这样来的嘛。

在家门口的高端产业肯定有科大的身影，这个肯定的。

ustcharvard · 发表于 6 天前

曾经沧海难为水发表于 2025-10-23 21:12
长鑫存储也开始发IEDM了。

科大电子/微电子论文上来的很猛

new_ttt · 发表于 5 天前

油里大叔发表于 2025-10-23 14:14
长鑫存储的技术主要来源于德国的奇梦达
长江存储的技术主要是自研的晶栈（Xtacking）架构
从技术上来讲，长 ...

你还是一知半解，长鑫存储开始就制造出来，内存主要是专利壁垒，最后长鑫存储花了几十亿美元，买了奇梦达专利和技术，最后把前期研发结果推倒重来。

new_ttt · 发表于 5 天前

八度天下发表于 2025-10-23 17:57
看时间线，长鑫2016成立的，当年项目代号506，朱一名2018才加入，这怎么可能为创始人……
长鑫里面科大毕 ...

是朱一名在合肥市政府建议上马内存项目，兆易没有这方面的技术，开始主要核心人员都是来自台湾，韩国。
开始很快就做出来，最后由于内存专门壁垒，又从德国买了专利技术，推倒重新再来一遍。

new_ttt · 发表于 5 天前

合肥最有潜力二家公司：长鑫存储，阳光电源

长江存储是没法和长鑫存储比较的，闪存技术门槛比较低，专利壁垒也不大。

mike99 · 发表于 5 天前

恭喜安徽逐步融入长三角一体化发展脚步！

油里大叔 · 发表于 4 天前

new_ttt 发表于 2025-10-26 11:30
你还是一知半解，长鑫存储开始就制造出来，内存主要是专利壁垒，最后长鑫存储花了几十亿美元，买了奇梦达 ...

长江存储的 Xtacking 架构实现了从 “追随者” 到 “规则制定者” 的跨越，技术被三星引入 420 层 NAND 研发，成为中国半导体技术首次反向输出国际巨头的案例，技术话语权已跻身全球第一梯队。

长鑫存储：一直跟随者，制程工艺依赖进口设备。

new_ttt · 发表于 4 天前

油里大叔发表于 2025-10-27 10:21
长江存储的 Xtacking 架构实现了从 “追随者” 到 “规则制定者” 的跨越，技术被三星引入 420 层 NAND ...

所以讲你是一知半解啊
闪存工艺 28纳米就可以，内存是向10纳米前进

你基本常识都不懂

冠冕 · 发表于 4 天前

现在存储方面的热点是HBM，HBM的一个主要难点是堆叠技术，长存的技术更靠近这个。哪家公司能够搞定HBM，就能赚大钱。

油里大叔 · 发表于 4 天前

new_ttt 发表于 2025-10-27 16:11
所以讲你是一知半解啊
闪存工艺 28纳米就可以，内存是向10纳米前进

你个外行，不懂还在在这里装13
闪存技术是看堆叠层数，不是几nm。这就说你真是外行。这都不懂
内存长鑫还是17nm。正在向14nm努力

油里大叔 · 发表于 4 天前

new_ttt 发表于 2025-10-27 16:11
所以讲你是一知半解啊
闪存工艺 28纳米就可以，内存是向10纳米前进

你连基本行内基本常识都不清楚。还发帖，丢人。

new_ttt · 发表于 3 天前

冠冕发表于 2025-10-27 17:08
现在存储方面的热点是HBM，HBM的一个主要难点是堆叠技术，长存的技术更靠近这个。哪家公司能够搞定HBM，就 ...

HBM就是堆叠那么简单，nand fsh 三星比海力士强，为什么hbm三星就搞不过海力士？

new_ttt · 发表于 3 天前

油里大叔发表于 2025-10-27 17:54
你个外行，不懂还在在这里装13
闪存技术是看堆叠层数，不是几nm。这就说你真是外行。这都不懂
内存长鑫还 ...

nand flash对光刻机要求不高
DRAM 对光刻机要求很高，12纳米三星就用euv光刻机

所以讲你只是一知半解

长江存储是一个高调公司
长鑫存储是一个低调公司

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