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历年IEEE ISSCC会议论文大陆高校录用情况(截至2022年)

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发表于 2021-11-3 08:47:43 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
历年IEEE ISSCC会议论文大陆高校录用情况
) f8 G9 z  z) ]+ N+ s
) }3 t2 Y5 i; S* m# C0 \清华  26篇. @& J" ~0 L* P: b9 X% o3 K1 ^4 f
复旦  16篇' q% |- r! Y! b) J
北大  11篇8 j* i$ D; Q: C3 |! D2 B* y
电子科大  8篇# j. Y/ @5 B! o$ M- R  m- s( Y, q/ b
浙大   5篇
" ~$ L* L7 Z6 C9 ~6 X/ c科大   3篇
2 O" {2 u1 F7 w. }东南   3篇" P* p9 N; R, {; I
天大   2篇6 h# s* G5 K  n- ^
上交   2篇
" J* d3 y: {, H5 w西交   1篇
/ _0 k6 T$ y3 ^% H2 g# [5 o+ _0 D% e' g: d
2022年,25篇(清华8篇,北大5篇,复旦4篇,浙大3篇,中科大2篇,电子科大1篇,天大1篇,纽瑞芯公司1篇)
2 `0 W$ Y  g$ o7 j& d" l3 \
) q) y" @4 w1 |- i7 f. j1 d" s7 Q2021年,21篇(清华6篇,北大4篇,电子科大3篇,浙大2篇,中电科38所、东南、中科大、中科院微电子所、百度、南京低功耗芯片技术研究院有限公司各1篇)" G2 J4 z1 A: g* l+ P3 q
- ]' ?5 T& ]2 T; |
2020年,15篇(清华大学5篇,电子科大3篇,北大、东南大学、西安交大、天津大学、复旦大学、上海交大各1篇,还有1篇来自重庆线易电子科技公司)
  A7 F1 ?  v0 u- d1 z7 y) D% Y1 r2 Y9 q8 d0 {8 O+ i; N
2019年,9篇(复旦3篇,清华、ADI各2篇,上海交大、东南大学各1篇,上交、东南均为历史第1次)
% `, W9 U0 ]8 I2 A8 z- P" U
- H1 l4 h; o& k" S( z' d2018年,5篇 (复旦2篇,北大、电子科大、北京ADI各1篇,北大和成电均为历史第1次)' b  j: R9 N4 P$ \- k$ W5 d$ g& @
, L& P6 D* E* k% c& X7 K( b: x' ^
2017年,1篇(北京ADI)* g& e9 I/ z0 R* s

8 V1 q2 }3 f5 N0 i6 x2016年,2篇(上海ADI,清华大学)
$ K9 t# W+ Z9 N5 B; ~; i$ d; H" k7 e/ u# M/ S/ M6 h- H; k
2015年,0篇+ {5 G2 }$ p+ g3 I1 Y% |

3 L3 g& I  |. Y( Z2014年, 3篇(复旦大学、中科院计算所、清华大学)
6 v" o6 J8 x0 [3 ?8 W" q  {; e4 y) X9 I7 }- G* K. Q0 G5 o  {
2013年,3篇(复旦大学2篇,中科院计算所1篇)
* I# b7 d. N: A2 U! |) W4 h6 b! z) b+ v# k2 a$ k2 g" ?
2012年,1篇(复旦大学)
0 x, S) n) e$ e: ]! @, E7 j/ A4 n3 o: S0 @
2011年,3篇(复旦大学、中科院/龙芯、清华大学)
, Z8 f! I3 m8 h% c  x1 f/ L' G0 `1 ^. w/ b2 @& _; |
2010年,0篇+ \1 ~3 `+ y6 d7 ]  E
0 A! z$ s. _4 H$ A' ^4 e
2009年,2篇(复旦大学、清华大学)% l1 J: \4 G* M) B9 v  t- V+ n

0 c* A) {& G8 h8 i  ~: p2008年,1篇(清华大学)- ^6 d7 J' W, _  J2 I
+ U" e- _- B  Z: M
2007年,1篇(上海鼎芯)
/ T" e) O' u/ K, \, t* ]  c0 s5 i9 Y* y1 ]
2006年,1篇(中科院半导体所)" x1 v9 k7 k& c) y0 o7 Z; y1 F
  v' R) ~# w& W2 h
2005年,1篇(上海新涛)
# R, f5 z) [& L. ~& f/ \1 d8 H1 ~3 |6 r. j3 s  E4 Q
, z3 F) s1 l4 {- P
ISSCC是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的缩写,是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,被认为是集成电路设计领域的“世界奥林匹克大会”。  ' e) l* u5 E6 K7 u. J
$ P5 A" d7 s' ^9 P" m$ o
始于1953年的ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)国际固态电路年度会议,通常是各个时期国际上最尖端固态电路技术最先发表之地。由于ISSCC在国际学术、产业界受到极大关注,因此被称为集成电路行业的奥林匹克大会。每年吸引了超过3000名来自世界各地工业界和学术界的参加者。- P; Z" E+ X. n3 d. F$ Q( h+ }8 }
( R6 |9 K% t. m* w: K7 v9 K- d1 t2 ?) }: W
在ISSCC60年的历史里,众多集成电路历史上里程碑式的发明都是在这上面上首次披露。比如世界上第一个TTL电路 (1962年),世界上第一个集成模拟放大器电路(1968年), 世界上第一个1kb的DRAM (1970年), 世界上第一个CMOS electronic wristwatch (1971年), 世界上第一个8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一个32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一个1Mb的DRAM (1984年), 世界上第一个1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一个集成 GSM transceiver (1995年), 世界上第一个GHz的微处理器 (2002), 世界上第一个多核处理器 (2005)

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发表于 2021-11-3 10:33:03 | 显示全部楼层
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