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发表于 2025-7-3 10:53:52
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本帖最后由 rlwd12345 于 2025-7-5 12:55 编辑
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4 |2 ]* J/ H. \/ h6 Q山东省科技厅，科技领军人才风采 | 徐现刚：以晶铸魂，破局“卡脖子”的半导体领跑者
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在山东大学晶体材料全国重点实验室的生长间里，12英寸碳化硅（SiC）单晶衬底熠熠发光。看似普通的晶体，是国产相控阵雷达探测距离提升3倍的“核心密码”，是新能源汽车充电时间缩短至1/3的“动力引擎”，更是中国半导体产业突破“卡脖子”技术的“战略基石”。而它的“锻造者”，正是晶体材料全国重点实验室、教育部新一代半导体材料集成攻关大平台主任徐现刚——一位用三十年光阴熔铸“中国芯”的领军科学家。, S/ w6 D$ k; `5 B! z5 ^1 b8 _
- }0 \$ ^3 \/ ~- j9 `: J5 l* j+ l8 l0 n% h从“理论重构”到“产业突围”，二十年磨剑铸“国芯”- j. Y/ L( v( L
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碳化硅是宽禁带半导体材料的典型代表，受到长期的技术封锁和产品禁运。徐现刚团队选择从最底层理论破局：创新性提出“成核控制理论与能级调控结合”方案，自主设计研发晶体生长设备，让晶体生长从“盲人摸象”变为“精准调控”，将微管、螺位错密度等直接影响碳化硅使用的缺陷从每平方厘米数百个降至零。
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这一突破背后，是常人难以想象的坚守：二十年来单晶炉全年365天持续运行，春节期间即使团队成员放假回家，徐现刚也坚守一线，不放过实验过程的每一丝变化；为优化工艺，上千次实验记录填满四个档案柜，泛黄沾满石墨的纸页上“失败”“调整温度”“再试”的字迹层层叠叠，2014年4月15日，实验记录上终于写上了“成功”。这标志着他首次实现了国内高纯半绝缘衬底技术的突破和国产化。
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在研发过程中，徐现刚率领团队构建起百余项核心专利群、首个半绝缘碳化硅军品标准的“技术护城河”，成果应用于先进战机、制导武器等国防装备，让“中国芯”成为国家安全的“硬核盾牌”；突破8英寸n型碳化硅制造核心技术，助力新能源汽车充电时间缩短至20分钟以内、续航提升20%，为产业“换道超车”注入“中国芯”动力。基于上述两类成果，他为推动我军武器装备升级换代和国民经济建设做出重大贡献。' J! e* D7 m( S# d3 }
5 n" i: Z% v: g* Q, }徐现刚深知，科研成果的价值在于“从实验室走向生产线”。他不仅转让近二十项碳化硅专利，支撑孵化出碳化硅业内唯一上市公司天岳先进及头部企业南砂晶圆等，使我国碳化硅衬底产能跃居全球前列；更培养了大批产业界人才，为我国碳化硅产业的发展奠定了人才基础。国家权威杂志高度评价：“几乎碳化硅半绝缘衬底领先企业的先导技术及领军人才都具有‘山大基因’”。
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随着中国碳化硅企业的崛起，曾经全球碳化硅领域市占率超60%的美国“霸主”企业Wolfspeed却长期依赖旧有的6英寸晶体技术，8英寸晶体的增产计划因良率不足陷入僵局，市场占有率大幅降低，近日更因债务危机破产重组。在徐现刚的引领和支撑下，我国碳化硅企业实现了从“替代者”到“规则制定者”的跨越。 |
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