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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:1 C& M2 j4 w& i- J8 y
6 u; d, ~4 E- I3 K氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频
" f5 I8 f+ T1 Y+ l氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;" f" N4 ]) Z* _
碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士
% v* ]5 U- |, O" {: Z1 P碳化硅有点复杂,里面有一部分军工
$ q$ Y$ b; I7 N& u/ }氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马
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其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院 {( I0 |& n5 }# D& b% I8 @
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