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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:* e. z. Q t% N+ G j
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氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频 t( \1 e4 B0 ? D! B1 l, O
氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;
/ I* P" U! p2 i9 C碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士
1 y1 c0 f; L, w; ~; L2 c碳化硅有点复杂,里面有一部分军工! b" a( T: d. a4 `9 g) D7 h' O
氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马
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其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院
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