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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:
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" R5 S* i/ n3 D J% x) H氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频5 ~6 t: q! `$ R- m4 ~) d
氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;' o6 g1 T4 m* e
碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士
- k( l$ f( x: n# b, [碳化硅有点复杂,里面有一部分军工$ _ Z* f4 @7 ?1 e' f
氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马
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7 } _& m7 J. o* {* o! i, @其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院5 `% `! e1 E$ Y! ]2 A- ?, n i0 E
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