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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:5 h3 R3 Y& l1 w$ Q O: R' `
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氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频# x$ ~! x- P5 D( U6 d
氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;# I" ^. ~# O& j
碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士
: \" W, D# k; L- f$ X4 x0 m碳化硅有点复杂,里面有一部分军工
5 Z6 [3 ]' T: R* o; T氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马
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( G' i; a) V. J. O! n) Y6 Y0 f, a0 }其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院2 v* D- h/ F6 G0 O9 E6 H
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