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发表于 2025-12-12 15:34:52
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2025年度中国第三代半导体技术十大进展
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; P0 R7 c/ X% \4 M) a( w, b$ G' W1、全系列12英寸碳化硅衬底全球首发
$ Y& e) j d$ s" \. m山东天岳先进科技股份有限公司3 |7 s: G5 R% y( {. y. t; V; X
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2、万伏级碳化硅MOSFET器件的研制及其产业化技术
9 @0 I; A6 W6 S6 ~, J, ]4 N浙江大学盛况团队
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3、基于氮化镓 Micro-LED的高速,低功耗光通信芯片技术
. D% z6 `2 O" [: ]2 q南京大学、复旦大学、厦门大学、吉林大学、南京邮电大学、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)- p% K: A. E g
8 s" a! N. u. ~- y' a) e4、8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破! I7 _# @5 H" F1 p( ^& N- @
杭州镓仁半导体有限公司.
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# D' f/ B+ p# `2 E0 S5、低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术
2 p/ T p$ M! ?: X' h0 r山东大学徐现刚团队
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6、8英寸碳化硅Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发; _. G; b" g% A3 p$ }( w v& A% U8 q
深圳平湖实验室、深圳市鹏进高科技有限公司/ h( v' G- a# W; ]9 ^$ o
: _3 v2 ] M' i+ t( s3 k v; [7、国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化技术重大突破
0 t8 T8 o! Q4 `* X! s3 g+ ^. g9 [三安光电、中微公司 7 D8 k: o; ^9 x) M0 U
( g/ A8 t& N+ K. n+ ?8、AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术研究
# Q$ A. ]$ R4 t, L6 S1 ^华中科技大学、华中科技大学鄂州工研院技术研究院、优炜芯
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9、III族氮化物半导体强极化的实验测定) o0 _4 }/ i* t" M2 D; N/ O9 k9 c
北京大学、华东师范大学联合研究团队
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/ E& r H3 m8 t0 G10、氮化镓基Micro-LED微显示集成芯片技术6 k% @( C8 {+ @! ?) {9 ]
南京大学、厦门大学、元旭半导体、国兆光电
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6 v7 s/ Y0 E+ O; B2 f1 Zhttp://www.casa-china.cn/plus/view.php?aid=987 |
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