|
|
发表于 2025-12-12 15:34:52
|
显示全部楼层
2025年度中国第三代半导体技术十大进展
2 q" m# \; P& u* d* B
3 ]0 _9 b1 P# g! ~2 \3 E' ~1、全系列12英寸碳化硅衬底全球首发2 J% s6 q7 V4 o6 X' A7 ~- ]) i
山东天岳先进科技股份有限公司0 ^" v' j i7 a# z6 n
+ Y" g% w. ~! F: }( G
2、万伏级碳化硅MOSFET器件的研制及其产业化技术: p! i. R' y M+ v
浙江大学盛况团队. ~1 j! `8 E5 ?8 ^
* p I* M! W6 b- m: e, ?3、基于氮化镓 Micro-LED的高速，低功耗光通信芯片技术! ^: P' z s4 J1 \( U
南京大学、复旦大学、厦门大学、吉林大学、南京邮电大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
( P$ N/ v- ?0 w: n; \ L, u( h! Q8 d
: E2 [' R6 Q5 f3 h' e; c2 x" X4、8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破1 v* c* m5 A: f) w
杭州镓仁半导体有限公司.
" q& }* A% m, L4 A9 y
; k& B& g) W+ Y* P) S5、低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术
4 q8 }3 f! e( L# B山东大学徐现刚团队) R5 _/ c# A5 z) E$ b; H. u5 w
7 I7 x b+ m7 u: L& Q) _6、8英寸碳化硅Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发' L! b( B! N& {/ m1 }
深圳平湖实验室、深圳市鹏进高科技有限公司
0 t+ }2 R( ]. v. \4 H2 |% r \ ~' c, I; {% E! z. ^1 B: v9 k
7、国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化技术重大突破
1 J# Q' U* R( r, A8 N- b! \( }$ R三安光电、中微公司
0 f, d$ w3 |0 r
6 ^5 T# Q7 z/ p2 b( h4 w. c$ h$ }8、AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术研究5 d4 B- A; l9 g4 x. C, ~! {
华中科技大学、华中科技大学鄂州工研院技术研究院、优炜芯) ]+ ?, R1 G6 D$ w" f$ f
s$ B" `9 i6 r M. X" c9 n9、III族氮化物半导体强极化的实验测定/ }. a4 m) b {+ \" U* n7 _
北京大学、华东师范大学联合研究团队
8 w: R& U5 b% V/ H5 a! v
' D" o% F# ^$ I4 C, r# w10、氮化镓基Micro-LED微显示集成芯片技术 [7 f y' O' n3 r; {: |
南京大学、厦门大学、元旭半导体、国兆光电+ y T6 D7 Y7 E3 d. d
) H8 [9 V( n* m! [5 G7 l5 }/ _
7 _- ]; ?+ C2 B/ Khttp://www.casa-china.cn/plus/view.php?aid=987 |
|
[复制链接]
楼主