时隔两周，复旦这个团队，再发Nature!

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在追求亚纳秒（sub-1-ns）编程速度的非易失性存储技术过程中，突破传统非易失性闪存与高速易失性静态随机存取存储器（SRAM）之间的性能限制，一直是存储技术领域长期以来面临的重要挑战。

借助先进材料所带来的基础物理创新，一系列新型存储器正在被开发，以突破非易失性存储的速度瓶颈。作为应用最广泛的非易失性存储技术，闪存的编程速度受限于电场辅助注入机制的低效率，其报道的速度远慢于亚纳秒水平。
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有鉴于此，复旦大学微电子学院周鹏教授、刘春森研究员等人报道了一种基于二维增强热载流子注入机制、可实现电子和空穴双向注入的二维狄拉克石墨烯通道闪存器件。该器件展现出400皮秒的编程速度、非易失性存储特性，以及超过550万次循环的稳定耐久性。相关研究成果以《Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection》为题发表在《Nature》杂志上。

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研究表明，薄体通道结构可以优化水平电场（Ey）的分布，提高电场辅助编程效率，使得注入电流在|VDS|=3.7 V时达到60.4 pA μm⁻¹。此外，作者还发现，二维半导体材料二硒化钨（WSe₂）同样具备二维增强热空穴注入能力，但其注入行为与石墨烯不同。该研究表明，在相同通道长度下，非易失性闪存的编程速度可以超过最快的易失性静态随机存取存储器。 

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复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院刘春森研究员和微电子学院周鹏教授为论文通讯作者，刘春森研究员和博士生向昱桐、王宠为论文第一作者。研究工作得到了科技部重点研发计划、国家自然科学基金人才类项目、上海市基础研究特区计划、上海启明星等项目的资助，以及教育部创新平台的支持。

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