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发表于 2025-3-26 18:19:29
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SmithArno 发表于 2025-3-26 10:49+ K. n( C( b4 P. u- v
Sic现在主要是尺寸问题,以及单纯做衬底拿奖难度大,还得做器件。8 X, M3 r* M4 |* O
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晶体的突破点在于12寸衬底+器件设计。 ... 9 J7 G# e$ Y, A" Z
这位老师 认不认识山大做半导体器件的人,新材料的器件也是我们领域研究的方向。我觉得可以有些合作的机会,一直听说山大晶体所那边做SiC之类的晶体做的比较好,但是都不认识,如果有认识的人可以私信我。
, T9 D; U2 a$ s& s, Y+ C( A7 r多谢 |
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