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发表于 2025-5-20 15:02:11
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本帖最后由 haiwangxing 于 2025-5-20 15:45 编辑
9 ?! B6 ]* P7 M/ D& ghaiwangxing 发表于 2025-5-20 14:47* L1 q0 j( O- R5 ]+ a# {
电子材料四大金刚+张波+宫玉彬+李斌+张万里+程校+罗校等 这10位国奖大佬不是CIE会士，应该还是师承圈层吧 ...
2000-2023国家科技奖励
, y4 [! }" U1 e. Y8 `% V/ ?" V4 l
/ Z- u8 j! r# h: s9 N1-复杂非均匀介质中场与波理论及其工程应用
/ _/ M8 E* B- Q' ~2002年国家科技进步二等奖: J% ` }3 y3 H" o
聂在平、潘锦、杨峰、陈晓光、胡俊、张业荣、赵延文
! Z2 W- z8 a3 z2-大面积单/双面YBC0高温超导薄膜的研制
: Q6 u& A) r q p) I2003年国家技术发明二等奖: H" V" a) i) S) v% h1 d
李言荣、刘兴钊、陶伯万8 r* P0 b0 G( |8 E ^+ c- u
纳米磁电信息功能材料
; |& a, @* e' g8 s3-2005年国家科技进步二等奖
$ ~6 r9 I8 L% `2 q; y张怀武，兰中文，刘颖力，余忠，钟志勇，苏桦，石玉，唐晓莉，贾利军，杨青慧
0 c9 y7 m% A) ]聚合物电极材料及其在电容器中的应用0 t2 p" ~3 j# [/ G) s9 a& u# @$ Y
4-2007年国家科技进步二等奖" n/ g k4 @8 _$ A- X" Q
蒋亚东，徐建华，唐先忠，杨亚杰，王涛，谢光忠，彭冬梅，方鸣，赵静波' K7 X& F! f( `9 h
5-电子聚合物薄膜XXX传感器技术4 i; T( S9 K( ]8 B
2007年国家技术发明二等奖
# L" _: t) Q+ r7 Y8 K4 m 蒋亚东，吴志明，范茂军(中电49所)，李丹，谢光忠，唐祯安(大连理工大学) & c" T [' m3 z2 D
6-XXX铁电材料及其应用+ L! V; F# x# L' v: b
2007年国家技术发明二等奖: I2 o$ _0 S/ w3 f
李言荣、张万里、张树人、周晓华、陶佰万、钟朝位; B5 G* X$ Q3 Q/ w7 h
7-低功耗铁氧体磁芯及新型节能磁性元器件8 Z; \ V1 F7 v* y
2008年国家技术发明二等奖8 Q! {6 ]# `) s& Z1 m3 ?
张怀武、刘颖力、张瑞标、赵淳、苏桦、杨青慧+ Y+ W+ w i/ a
8-XXX吸波材料及其在重大工程中的应用
0 h" f- M- F4 o9 v. z+ b2008年国家科技进步二等奖* [+ v3 M& W% f7 s) y1 P$ @
邓龙江、桑建华，谢建良，洪建胜，梁迪飞，周海，王力强，何枫，罗海林，陈良4 Q9 J6 I, R- I
9-XXX抗干扰高速数据传输技术及应用研究
2 L# q4 |/ l0 d% |7 K2008年国家技术发明二等奖/ A" E' {9 r( \& h2 E" S: _ r4 f
李少谦、董彬虹、何旭、程郁凡、唐友喜
5 v1 O$ N; w3 c/ ?10-新型功率半导体器件体内场关键技术与应用
" D, A# E/ D: L: b2010年国家科技进步二等奖& {( l- s! ?8 N' d( O5 v. Y. ^
张波，李泽宏，乔明，肖志强，方健，王卓，罗小蓉，杜秋平，卢世勇，李肇基
$ F1 h8 E/ `/ O0 A) M11-面向数字化医疗的医学图像关键技术研究与应用$ f6 \& L% W/ Y/ X, H- y$ D
陈雷霆，蒲立新，蔡洪斌，江捍平，余元龙，邱航，曹跃，卢光辉，刘煜岗，罗乐宣
3 _) G% n6 @' j& L; e& P) y2011年国家科技进步二等奖
8 ]! Z. E# a" q; n: d% [12-XXX平台
0 p4 o' T0 Z! Q2012年国家科技进步二等奖
& `8 \# F4 m, [' K张小松、夏琦、陈瑞东、杨敏
& O* B3 J' A# m* E8 n13-XXX红外焦平面探测器技术
- B8 g! m2 c2 e5 V2012年国家技术发明二等奖1 R& N0 k% |1 h/ I- l* u
蒋亚东、吴志明、王涛、吕坚、袁凯、王军
" g% M C0 |, e( n4 A9 Z" ~14-宽带复杂信号实时捕获与合成技术
: o. `$ H& S; V2013年国家技术发明二等奖( K& R6 E9 A* p
田书林、王厚军、叶芃、刘科、曾浩、王志刚2 X6 A# q, R1 v
15-XXX行波管关键技术及应用! q! U. ?6 H( ?, T
2014年国家科技进步二等奖% E2 J9 y/ ?1 N2 n! S) |. e
李斌、杨中海，李建清，刘濮鲲，魏义学，苏小保，黄桃，胡权，胡玉禄，徐立
% f- b( Y' N9 _ Z9 H4 v) b16-高密度互连混合集成印制电路关键技术及产业化% K! \9 k: ^: D1 j6 G, a
2014年国家科技进步二等奖% U0 k* a: ~( w
张怀武，何为，胡永栓，王守绪，苏新虹唐晓莉，周国云，陶志华钟智勇，朱兴华
& O6 [1 i( A/ O; j+ ^+ L2 T2 V17-XXX雷达成像探测技术3 B5 F$ Z+ e% x$ v5 \
2014年国家技术发明二等奖
0 i" V& ~9 O9 C* E. C' i# ?2 }; F杨晓波、孔令讲、杨建宇、殷光强、皮亦鸣、张征宇
" n y' _. D( ^( U+ }3 g18-非制冷红外辐射热探测系统关键技术及应用
' H# |7 h; Q# |) G3 T$ }2015年国家科技进步二等奖
, L$ S/ m0 v; {9 d7 S6 P' ]% v W9 \6 l蒋亚东，吴志明，王涛，李明锁，蒋城，顾德恩，刘子骥，郑兴赵凯生，沈建宏
, E3 V: h$ S! q3 f9 S0 h19-XXX航电网络关键技术
% x4 r* i8 ]% u) r9 V2015年国家技术发明二等奖
5 K! i6 |9 y f0 d: }& d* q" J邱昆、胡钢、许渤、石林、凌云、张崇富
& V( z0 ?# u' o) i20-飞行器XXX材料关键技术及应用8 h. \: ^9 ^8 d8 Z
2015年国家技术发明二等奖
' w0 c3 R4 Y( C邓龙江、桑建华、谢建良、陆海鹏、周佩珩、何枫
# k# k9 {) u( x, Z21-XXX真空电子器件关键技术及应用% A' k$ H; }3 x7 b2 C4 E- j% W
2016年国家技术发明二等奖
$ H8 H0 n! K: @宫玉彬、魏彦玉、冯进军(中电12所)、包正强(77厂)、牛新建、岳玲娜
! e" i( J. d/ c" y8 N0 `3 x$ u7 y5 b22-视网膜疾病基因致病机制研究及防治应用推广
# ^2 [& \- [+ J$ w2 @# K2016年国家科技进步二等奖
0 c& M( I" N( N# F! m* j/ h3 z杨正林、张明、赵培泉、石毅、鲁芳、彭智培、杨季云、蔡力、苏智广、龚波
" {/ k0 _) K4 R, p/ K( D/ t# E23-XXX分布式多模态复杂计算关键技术研究及应用
0 O1 L) \ X8 K2 |2017年国家技术发明二等奖
# d4 r$ h0 v+ O3 v& N7 J罗光春、殷光强、田玲、陈爱国、吴敏萍、李建
$ [7 v2 }! c6 I K8 ^) j* v% v9 f K5 z24-XXXSR成像技术! h" v$ x0 L# u$ _
2017年国家技术发明二等奖
1 }, e. h1 r! v杨建宇，杨晓波，黄钰林，武俊杰杨海光李中余/ d' W! C$ J! i2 F# \3 W
25-敏感薄膜集成技术与应用
! X T6 _; D' r2018年国家技术发明二等奖
' j3 [" K. w8 e1 ?% t& m! ~7 P. Z4 z张万里，吴传贵，彭斌，李言荣，石小江(624),蒋洪川
, M \ Y% o* E. M26-基于电磁辐射场成像的XXX检测方法与装置
1 C% |" e$ v# D1 S2018年国家技术发明二等奖
% V- i' n% u( J程玉华、叶芃、王厚军、田书林、刘震、黄建国
9 G' H& G, h' o0 t& p27-高磁导率磁性基板关键技术及产业化
8 @# Z: T! T( @) V3 P2018年国家科技进步二等奖
1 w2 I' }$ N% b6 a" d邓龙江、梁迪飞、陈良、李维佳、谢海岩、张宏亮、阙智勇、李涛、刘华涛、李立忠; y6 D9 v0 h% z; r
28-网络环境关键技术及应用$ o) ]; q3 o4 ?2 |6 r W* g
2019年国家科技进步一等奖
% n- ~4 c' c; @8 K! W张小松、牛伟纳、陈瑞东、李洪伟、鲁力/ {3 { Y( ]: x
29-XXX材料测试技术; Q7 u6 S- P6 `/ \# F0 B, R, `
2019年国家科技进步二等奖
# S1 W8 q$ P6 O y3 Z李恩、周杨、张其劭' ~7 L S& a$ V+ n( k
30-XXX太赫兹成像关键技术' v7 \# B' u9 N! t
2020年国家技术发明二等奖
0 E. O' V, E% T$ O& i杨晓波、闵锐、张波、李晋、孔令讲、皮亦鸣
1 S& l" E, J* f+ U1 n31-面向电磁辐射散射一体化问题的高效建模方法、联合调控与设计技术
# g( f: V0 M7 j3 C- i2023年国家技术发明二等奖
% M, e3 a! B0 Y. U) i胡俊、陈益凯等。
$ G- a, p" g4 P+ u' i3 O9 G& l32-功率MOS与高压集成芯片关键技术及应用( Y# A5 ]# M9 N8 k' [8 S
2023年国家科技进步二等奖
* p) _* E0 r, b# H( o: M张波、乔明等。
( d z) u* d7 x2 }3 q33-中华人民共和国国际科学技术合作奖。
x- h3 l# k$ a4 s' ^+ e裴德乐
5 O: s# Z, R/ F, Y9 e: ]- t) P |
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发表于 2025-5-18 21:45:10
发表于 2025-5-19 00:33:21
