|

楼主 |
发表于 2025-5-20 15:02:11
来自手机
|
显示全部楼层
本帖最后由 haiwangxing 于 2025-5-20 15:45 编辑 4 N' y* {: H% `2 i
haiwangxing 发表于 2025-5-20 14:47
1 [' O5 I3 R6 \7 N电子材料四大金刚+张波+宫玉彬+李斌+张万里+程校+罗校等 这10位国奖大佬不是CIE会士,应该还是师承圈层吧 ... ! j+ D* P9 I" {; }2 W
2000-2023国家科技奖励
% j5 s- a# A* a: ^$ T! E
, R8 U7 S- L3 U7 k2 P1-复杂非均匀介质中场与波理论及其工程应用
' ]7 N# Q7 I( E+ R4 F! L! I: l2002年国家科技进步二等奖
+ \$ ]6 _ c9 t4 f" X- `9 b: [聂在平、潘锦、杨峰、陈晓光、胡俊、张业荣、赵延文
0 X( v, \* H! Z& I, I2-大面积单/双面YBC0高温超导薄膜的研制
- t0 i( i* X; r' W8 r$ N2003年国家技术发明二等奖, Q3 s/ t; e0 B0 y8 ~) V
李言荣、刘兴钊、陶伯万
6 n2 O! y0 K, r- a$ T- c5 f7 X3 X1 B1 ~纳米磁电信息功能材料! b0 r- m3 g7 j
3-2005年国家科技进步二等奖
0 g+ x/ }0 n% z% W张怀武,兰中文,刘颖力,余忠,钟志勇,苏桦,石玉,唐晓莉,贾利军,杨青慧
+ }9 H1 Y; p! a' j- C' ]聚合物电极材料及其在电容器中的应用
3 |/ q0 T' d7 E: l6 c0 p! @4-2007年国家科技进步二等奖* g# ?7 s9 T3 A/ U0 i
蒋亚东,徐建华,唐先忠,杨亚杰,王涛,谢光忠,彭冬梅,方鸣,赵静波* i5 @) }; e, ~; @
5-电子聚合物薄膜XXX传感器技术6 V7 D! G2 H9 o& W
2007年国家技术发明二等奖
. z. d# `+ q% \+ {) u0 } 蒋亚东,吴志明,范茂军(中电49所),李丹,谢光忠,唐祯安(大连理工大学)
% s3 J8 U. _/ Q4 C6-XXX铁电材料及其应用 M2 v F0 B/ I7 B9 E8 N0 F1 A
2007年国家技术发明二等奖; z0 i' \: M6 h2 C+ }6 q* _
李言荣、张万里、张树人、周晓华、陶佰万、钟朝位9 S3 W/ |( o; U" @! D4 G
7-低功耗铁氧体磁芯及新型节能磁性元器件# p" G6 x, Y) j% P1 }2 M' D, |
2008年国家技术发明二等奖8 {& [6 j5 b) S, A+ g
张怀武、刘颖力、张瑞标、赵淳、苏桦、杨青慧# p f- d3 l7 u$ J
8-XXX吸波材料及其在重大工程中的应用
' C3 l+ m- l" ]* R u# }2008年国家科技进步二等奖
! y( @# c5 U& s& f* {' X邓龙江、桑建华,谢建良,洪建胜,梁迪飞,周海,王力强,何枫,罗海林,陈良
6 B- r, D( x5 E# d9-XXX抗干扰高速数据传输技术及应用研究0 z0 b7 \: x' n* _
2008年国家技术发明二等奖: o- s* O! m" K3 B
李少谦、董彬虹、何旭、程郁凡、唐友喜
* Y/ M( I% A, n1 L: N( m ^) W10-新型功率半导体器件体内场关键技术与应用* R: `: g) G2 `# f/ s% H+ T
2010年国家科技进步二等奖! `4 m/ K+ L0 n E1 M
张波,李泽宏,乔明,肖志强,方健,王卓,罗小蓉,杜秋平,卢世勇,李肇基9 N- x( _ Y) z
11-面向数字化医疗的医学图像关键技术研究与应用
4 Y7 M- b9 T* d8 w' M+ g& l6 F$ e7 T陈雷霆,蒲立新,蔡洪斌,江捍平,余元龙,邱航,曹跃,卢光辉,刘煜岗,罗乐宣+ p/ W$ n% |4 h( B) T; C
2011年国家科技进步二等奖
T+ H1 V6 W I5 b12-XXX平台& l3 {, V0 i9 B( N( g2 U
2012年国家科技进步二等奖
4 b5 J I/ O' v, Z/ {9 L( i张小松、夏琦、陈瑞东、杨敏0 X+ h2 ^, r- q& X7 W' ^3 u7 d
13-XXX红外焦平面探测器技术
# y$ o; Y/ y% ?9 Z2 T- A2012年国家技术发明二等奖8 ]+ u @2 B4 U! W! H/ D) b9 E
蒋亚东、吴志明、王涛、吕坚、袁凯、王军0 _) h# K1 P9 T0 g3 Q% K
14-宽带复杂信号实时捕获与合成技术
% t- B# P& F" b0 Q2 d5 Z" k2013年国家技术发明二等奖" B" V+ r* r" V6 W0 s8 t* |# U
田书林、王厚军、叶芃、刘科、曾浩、王志刚
& |3 R3 ]% O" s& g' @/ S' b+ Y b15-XXX行波管关键技术及应用; R5 k: g/ ]' ^9 _
2014年国家科技进步二等奖% I+ r4 B8 E/ o# v9 T7 A" @7 k
李斌、杨中海,李建清,刘濮鲲,魏义学,苏小保,黄桃,胡权,胡玉禄,徐立
% ]7 }$ G( z1 ^& l16-高密度互连混合集成印制电路关键技术及产业化
; e7 R6 f9 i3 R' X! M7 h# |/ E, _2014年国家科技进步二等奖
( G+ [) R' J. j8 n- s张怀武,何为,胡永栓,王守绪,苏新虹唐晓莉,周国云,陶志华钟智勇,朱兴华- d* b# w# ?$ n2 E$ g6 o0 j: q
17-XXX雷达成像探测技术1 g# V- c/ X* X2 g. B& y3 _
2014年国家技术发明二等奖
7 W2 E- C" n- Q' g杨晓波、孔令讲、杨建宇、殷光强、皮亦鸣、张征宇2 R. z3 p" B3 N* \& \6 w; B
18-非制冷红外辐射热探测系统关键技术及应用
$ O+ I$ s- A( V' _+ C& A! G: H2015年国家科技进步二等奖
6 n& U$ v* g. B+ z: r蒋亚东,吴志明,王涛,李明锁,蒋城,顾德恩,刘子骥,郑兴赵凯生,沈建宏5 H: a9 d6 n1 V3 } I
19-XXX航电网络关键技术
) o! t4 f* l& q9 G8 X2015年国家技术发明二等奖
L9 k n/ P* G$ o8 t; Z& O邱昆、胡钢、许渤、石林、凌云、张崇富8 s# b* K! c2 A' G6 `6 B
20-飞行器XXX材料关键技术及应用) V& Z2 B! \# k8 J* a9 L" `7 Q
2015年国家技术发明二等奖2 m$ p1 A8 C9 K" ?2 [; I
邓龙江、桑建华、谢建良、陆海鹏、周佩珩、何枫9 X& G1 @ i/ m2 f8 ?+ R
21-XXX真空电子器件关键技术及应用
; n0 d; h9 {, {2 A8 M2 t2016年国家技术发明二等奖+ X: D% a% i3 i( i
宫玉彬、魏彦玉、冯进军(中电12所)、包正强(77厂)、牛新建、岳玲娜9 A1 o- `+ N, u! s, M) r
22-视网膜疾病基因致病机制研究及防治应用推广
, ~3 [8 n' A, D2016年国家科技进步二等奖- r# r+ [1 x/ b- z* Y( i) w
杨正林、张明、赵培泉、石毅、鲁芳、彭智培、杨季云、蔡力、苏智广、龚波( l, B6 p" E3 X' b; _, c/ ^
23-XXX分布式多模态复杂计算关键技术研究及应用0 p! k4 {+ M8 G, D" n( @
2017年国家技术发明二等奖
8 M5 l. J% ^* ?+ W- U6 b罗光春、殷光强、田玲、陈爱国、吴敏萍、李建
- f6 a4 R6 e% C9 ]24-XXXSR成像技术- Q! {* ]8 u- \/ \5 Z' {
2017年国家技术发明二等奖8 }) q. c. G. y* \
杨建宇,杨晓波,黄钰林,武俊杰杨海光李中余# u5 p+ S4 A9 D. }. O
25-敏感薄膜集成技术与应用
; n* N: f2 K2 n1 N4 w2018年国家技术发明二等奖; u+ R* M e) c: g
张万里,吴传贵,彭斌,李言荣,石小江(624),蒋洪川
; U- `" \7 W1 O( C26-基于电磁辐射场成像的XXX检测方法与装置# X! _7 A8 ~% a
2018年国家技术发明二等奖
4 n6 R7 a& j# \/ Z4 c程玉华、叶芃、王厚军、田书林、刘震、黄建国: J# K( b8 Y' z; C4 |4 o# C& E6 I: }
27-高磁导率磁性基板关键技术及产业化4 M$ u$ q, P& a
2018年国家科技进步二等奖# w/ o7 G. X. Y! v) N7 b0 [
邓龙江、梁迪飞、陈良、李维佳、谢海岩、张宏亮、阙智勇、李涛、刘华涛、李立忠
! a% h& G5 F) d$ w28-网络环境关键技术及应用' r! y& _+ ~4 p/ L2 u7 K* _
2019年国家科技进步一等奖$ I" f7 o1 E2 N6 t' U+ w
张小松、牛伟纳、陈瑞东、李洪伟、鲁力, P' F+ I9 D' T" D+ p) y
29-XXX材料测试技术
9 O) b3 t$ a J* P2019年国家科技进步二等奖: B' k, B1 d4 y
李恩、周杨、张其劭
: D4 b6 S9 Y% ?. u& p30-XXX太赫兹成像关键技术% I8 V$ X, \# `" `$ [
2020年国家技术发明二等奖' i5 \. y6 v# N/ W/ e
杨晓波、闵锐、张波、李晋、孔令讲、皮亦鸣
8 f: N; w% a# f' p B31-面向电磁辐射散射一体化问题的高效建模方法、联合调控与设计技术0 r4 [7 C6 {: W3 q; Z$ y5 F2 c+ E
2023年国家技术发明二等奖. {7 Y4 U" a& k; O
胡俊、陈益凯等。+ Z& d5 k- }" w0 s1 c9 j/ R6 k( p
32-功率MOS与高压集成芯片关键技术及应用6 O5 L2 _& |2 |. E+ V& N
2023年国家科技进步二等奖 x; }' T' p& Z( ^) t% I& D
张波、乔明等。+ m" D z) r7 N
33-中华人民共和国国际科学技术合作奖。
4 s: E1 U' K h1 J6 O裴德乐
( A. A+ X" t* w5 e3 p |
|