|
|
楼主 |
发表于 2025-3-23 10:04:33
来自手机
|
显示全部楼层
haiwangxing 发表于 2025-1-1 00:41* X2 o% N) ]0 b' c( g
重大重点科研项目：2 v, s% ^9 I9 O8 A) q
! R" u* v) B; K# H& q
计算机：重大重点类项目 6 项，其中重优基金 1 项（重大项目，全国 10 项）、重点研发 ...
先进功率和射频器件与集成教育部工程研究中心" R: F! V H) a8 o, f
( m# r3 n/ A0 G1 T7 a
一、基本概况7 |" _- S4 D$ ~/ Q1 A( ?
S1 U+ Y; F* y+ C: @% ~, `; L% H
2024年教育部批准成立。中心依托电子科技大学集成电路科学与工程学院，聚焦国家高端芯片发展规划，面向卫星通信、航空航天、新型能源、智能电网以及轨道交通对高频、大功率器件与集成芯片的迫切需求，聚焦宽禁带半导体功率/射频器件与集成技术，突破大尺寸高质量的材料生长、新型功率器件与系统集成方法、先进射频器件与电路设计以及封装等方向的研究，结合高校的原始创新研究和企业的实践创新平台及市场敏感度，加强产教融合与科教融汇，加快创新人才培养、加速先进功率/射频芯片国产化、推动宽禁带半导体产业发展。
2 H% L+ ^9 n- {
; d ~& `% D8 v: L% r中心主任：罗小蓉 教授
0 x7 G3 [: q O* f" b y x7 F9 o! u4 ^: K
技术委员会主任：苏东林院士
; m5 J2 t* k7 q: y9 Q
# J+ q% g W1 Q1 r二、人才队伍情况2 H) o- f* v9 T9 |# w9 A4 I
1 ]5 R2 ^ F; S8 o3 L# \8 T. |中心现有固定人员50余人，其中入选国家级人才计划15人，高级职称人员48人，在站博士后6人，博士研究生69人，人员队伍结构合理，形成了“首席科学家-学术带头人-中青年骨干-核心研究员”的人才梯度模式。. w9 Z! }, B) @( h( L
/ V& H' X O9 ~8 Z7 i6 g2 M% y7 H$ J
三、研究方向7 i2 Z! _& m1 _& \
4 W/ ^3 [! u, L6 i4 v# M* a, |研究方向1：大尺寸高质量宽禁带半导体材料生长
8 ?3 y: S2 z# p: ~+ u2 k. \) r% D; D2 m* |* j% W X8 u
研究方向2：新型功率器件与系统集成
3 C4 d( B* X$ o: T" p" k% Y! c9 ]. |* O( h) P
研究方向3：先进微波/毫米波器件与集成电路: q' L7 I' h2 `# p! |$ _# C
9 j, [+ @) U- V5 M
研究方向4：先进封装与可靠性分析
3 {8 w4 j+ i4 C; E8 m, ~$ ]: J7 Z6 H9 m! F) R% Q: x
四、科研条件
% J, d" q3 k; O0 L3 d; I! h4 ^6 J) _6 t/ N' G
中心现有研发场地超5000平方米，目前已经拥有功率/射频器件及集成电路仿真设计平台、功率/射频器件参数晶圆级测试平台、功率/射频半导体器件与集成电路参数测试专用平台、功率/射频半导体器件及集成电路封装及可靠性分析平台等。9 k1 x/ F z9 H; z' T( b
' ^* b: b5 K! |6 a% D$ ~+ H3 D五、科研成果: U$ ~/ G' ], Z: ]; \% Y) C! P- ]9 ?
: n- w; u4 f2 C
中心在功率/射频器件与集成领域的顶级期刊、会议上累计发表学术论文超过1000篇，主办和协办多个域内顶级国际、国内会议，其中2013年以来中心在功率半导体全球最顶级的学术年会IEEE ISPSD上发表论文数居全球第一。
, N* u) B6 q: v7 e; k& b$ ~+ a ?& \: J( L5 [) @" }- y' I
近年来，中心先后承担国家重点研发计划、重大专项、973/173重点项目（课题）以及国家自然科学基金重点项目40余项，研究成果广泛应用于民口装备以及消费电子领域，获得国家级、省部级科技成果奖励30余项，培养出国家级杰出人才和青年人才近20人。与龙头企业华为、中兴、华润微电子、华虹宏力及中国电子科技集团各研究所等相关企业联合开发100余款量产功率/射频产品，广泛应用于汽车电子、工业控制等民用产品中，取得重大社会效益和突出经济效益。 |
|
[复制链接]
发表于 2025-3-21 19:18:54
