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发表于 2025-3-23 10:04:33
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haiwangxing 发表于 2025-1-1 00:41( n. n6 ]' @. B. d4 G
重大重点科研项目：5 \6 Y5 n% ^) U {
3 k3 i( U+ X! ?) z1 q- ^: O7 R w7 ?
计算机：重大重点类项目 6 项，其中重优基金 1 项（重大项目，全国 10 项）、重点研发 ...
先进功率和射频器件与集成教育部工程研究中心5 J# i; C2 S. T$ z+ X
/ i5 j* Q0 n9 X' w. ]" \一、基本概况. U8 B* M9 p; Z* x, v
( b5 f, h6 _5 a' O2024年教育部批准成立。中心依托电子科技大学集成电路科学与工程学院，聚焦国家高端芯片发展规划，面向卫星通信、航空航天、新型能源、智能电网以及轨道交通对高频、大功率器件与集成芯片的迫切需求，聚焦宽禁带半导体功率/射频器件与集成技术，突破大尺寸高质量的材料生长、新型功率器件与系统集成方法、先进射频器件与电路设计以及封装等方向的研究，结合高校的原始创新研究和企业的实践创新平台及市场敏感度，加强产教融合与科教融汇，加快创新人才培养、加速先进功率/射频芯片国产化、推动宽禁带半导体产业发展。6 |- d& }. t+ H) J8 t
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中心主任：罗小蓉 教授
& I! J, f3 e8 {7 ~, P6 G4 ^$ S. q2 _1 _# a' U: [& r
技术委员会主任：苏东林院士! c2 T+ |. v# i! S; R' W( h
' U" B& s. t& [( e# T) ]- p! ]
二、人才队伍情况
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中心现有固定人员50余人，其中入选国家级人才计划15人，高级职称人员48人，在站博士后6人，博士研究生69人，人员队伍结构合理，形成了“首席科学家-学术带头人-中青年骨干-核心研究员”的人才梯度模式。9 R" s Q4 e4 d
3 y* p3 y! S3 ?( ^三、研究方向- A5 [, k% G' E- L" i' d
; W* w+ S7 G7 w( d6 D研究方向1：大尺寸高质量宽禁带半导体材料生长# U% F- n/ @$ d: v
: F3 {9 p9 _8 Y* Y+ X1 W研究方向2：新型功率器件与系统集成* ~# i& r! `6 Q/ E1 e, c
, A1 g: O7 f F- `8 m8 @6 M
研究方向3：先进微波/毫米波器件与集成电路" T! }8 I s8 m1 P) q* f
8 B9 S7 k+ f1 q+ ~6 p研究方向4：先进封装与可靠性分析/ N9 \- \% ~- ]/ O0 X, a$ H
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四、科研条件
& Z: w+ N! K! P9 G0 q1 q+ {
) T* Y# { b3 H: D3 w+ f中心现有研发场地超5000平方米，目前已经拥有功率/射频器件及集成电路仿真设计平台、功率/射频器件参数晶圆级测试平台、功率/射频半导体器件与集成电路参数测试专用平台、功率/射频半导体器件及集成电路封装及可靠性分析平台等。
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2 O# i/ h5 v- b$ z五、科研成果
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( X# @2 I3 e) Y/ d0 t中心在功率/射频器件与集成领域的顶级期刊、会议上累计发表学术论文超过1000篇，主办和协办多个域内顶级国际、国内会议，其中2013年以来中心在功率半导体全球最顶级的学术年会IEEE ISPSD上发表论文数居全球第一。
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; z7 c# o" z6 h9 G 近年来，中心先后承担国家重点研发计划、重大专项、973/173重点项目（课题）以及国家自然科学基金重点项目40余项，研究成果广泛应用于民口装备以及消费电子领域，获得国家级、省部级科技成果奖励30余项，培养出国家级杰出人才和青年人才近20人。与龙头企业华为、中兴、华润微电子、华虹宏力及中国电子科技集团各研究所等相关企业联合开发100余款量产功率/射频产品，广泛应用于汽车电子、工业控制等民用产品中，取得重大社会效益和突出经济效益。 |
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发表于 2025-3-21 19:18:54
