|
|
楼主 |
发表于 2025-3-23 10:04:33
来自手机
|
显示全部楼层
haiwangxing 发表于 2025-1-1 00:41# c2 w2 R8 S) }: f) ]
重大重点科研项目：
4 r+ m* ?; d/ R' O8 X" n, W8 q! N# ^1 x0 L) Z1 `6 c3 Q. A
计算机：重大重点类项目 6 项，其中重优基金 1 项（重大项目，全国 10 项）、重点研发 ...
先进功率和射频器件与集成教育部工程研究中心, F% f8 x: @$ o# J7 M4 x3 Y
2 w( D- ]/ _9 N; f9 E# o
一、基本概况
9 {9 o+ E+ ^( W& H4 G/ J8 j" P! U! Z# p; ], p; B
2024年教育部批准成立。中心依托电子科技大学集成电路科学与工程学院，聚焦国家高端芯片发展规划，面向卫星通信、航空航天、新型能源、智能电网以及轨道交通对高频、大功率器件与集成芯片的迫切需求，聚焦宽禁带半导体功率/射频器件与集成技术，突破大尺寸高质量的材料生长、新型功率器件与系统集成方法、先进射频器件与电路设计以及封装等方向的研究，结合高校的原始创新研究和企业的实践创新平台及市场敏感度，加强产教融合与科教融汇，加快创新人才培养、加速先进功率/射频芯片国产化、推动宽禁带半导体产业发展。/ N' Y" S$ @% \
* B7 T M8 S: A0 s0 w6 {& F中心主任：罗小蓉 教授. f* v' S6 A |5 h, p! ~6 Q: b
9 u1 e& @8 Q' T技术委员会主任：苏东林院士
/ r# f2 _* u8 C6 q
. N5 A" h, h7 B: C! q二、人才队伍情况
_0 l! x3 L% U& @3 P1 ^% L
5 z A; ^- p! O/ l( ~7 M* j中心现有固定人员50余人，其中入选国家级人才计划15人，高级职称人员48人，在站博士后6人，博士研究生69人，人员队伍结构合理，形成了“首席科学家-学术带头人-中青年骨干-核心研究员”的人才梯度模式。
; R/ G/ \/ u2 s3 X+ z( L5 n
" M0 p4 _/ {: r* X) K三、研究方向$ y- u' [% @8 v" N& P+ b
9 \* D1 Z. N9 i研究方向1：大尺寸高质量宽禁带半导体材料生长
3 C) d* S( I% ?3 `; C) n, Q5 t: B$ G
2 y* |) P9 J5 N9 h# K5 ?( i研究方向2：新型功率器件与系统集成+ `2 f( y) {- [3 R) k0 x
* e7 {' D& G' Q) C6 b研究方向3：先进微波/毫米波器件与集成电路 C* G* M3 M. K4 f: C( ]
8 s: v- i! {4 q# ^ I, H研究方向4：先进封装与可靠性分析
5 I: l" e. C9 j3 P. n- `- N+ N! V4 s# O% c$ k+ v3 \
四、科研条件1 H+ p7 [# o8 e8 n2 B; X
( Z# F: ?( J9 f/ F* t- j中心现有研发场地超5000平方米，目前已经拥有功率/射频器件及集成电路仿真设计平台、功率/射频器件参数晶圆级测试平台、功率/射频半导体器件与集成电路参数测试专用平台、功率/射频半导体器件及集成电路封装及可靠性分析平台等。( E* ?5 l2 j6 w) a, g U1 r7 P
8 j6 `1 i7 N& E+ b五、科研成果
7 Y" x' |9 ?% \1 {
- Q0 l, ]% V' P6 P( I8 ]( [中心在功率/射频器件与集成领域的顶级期刊、会议上累计发表学术论文超过1000篇，主办和协办多个域内顶级国际、国内会议，其中2013年以来中心在功率半导体全球最顶级的学术年会IEEE ISPSD上发表论文数居全球第一。
& R1 U9 |, e( ?0 g. @4 e! }1 K& t3 k
近年来，中心先后承担国家重点研发计划、重大专项、973/173重点项目（课题）以及国家自然科学基金重点项目40余项，研究成果广泛应用于民口装备以及消费电子领域，获得国家级、省部级科技成果奖励30余项，培养出国家级杰出人才和青年人才近20人。与龙头企业华为、中兴、华润微电子、华虹宏力及中国电子科技集团各研究所等相关企业联合开发100余款量产功率/射频产品，广泛应用于汽车电子、工业控制等民用产品中，取得重大社会效益和突出经济效益。 |
|
[复制链接]
发表于 2025-3-21 19:18:54
