|
|
楼主 |
发表于 2025-3-23 10:04:33
来自手机
|
显示全部楼层
haiwangxing 发表于 2025-1-1 00:41
5 l v, i* C" r重大重点科研项目：: p% C* h/ K# ^, Y2 v, g) i$ d4 }
- Q% R6 a/ y5 u6 J计算机：重大重点类项目 6 项，其中重优基金 1 项（重大项目，全国 10 项）、重点研发 ...
( Q6 E5 x" q' W$ w$ m先进功率和射频器件与集成教育部工程研究中心
6 S- W+ O# D: f
) L( |; a* V& P& f, I$ Y一、基本概况
9 s1 G) s" e+ K0 o* J8 [
& H! P0 t; l7 f2024年教育部批准成立。中心依托电子科技大学集成电路科学与工程学院，聚焦国家高端芯片发展规划，面向卫星通信、航空航天、新型能源、智能电网以及轨道交通对高频、大功率器件与集成芯片的迫切需求，聚焦宽禁带半导体功率/射频器件与集成技术，突破大尺寸高质量的材料生长、新型功率器件与系统集成方法、先进射频器件与电路设计以及封装等方向的研究，结合高校的原始创新研究和企业的实践创新平台及市场敏感度，加强产教融合与科教融汇，加快创新人才培养、加速先进功率/射频芯片国产化、推动宽禁带半导体产业发展。
; w7 g3 u) p* t8 R( j, u8 o1 m5 }% J6 @9 G
中心主任：罗小蓉 教授
* s( |7 S6 t- e9 s/ o, g5 u$ f( ^% _$ x+ ~1 T% A; | ~1 X
技术委员会主任：苏东林院士
5 K1 @ s; z9 e7 F5 B2 @4 i5 i F
, R& U) o& O/ [; [$ D二、人才队伍情况
! u# U R: g0 ]: L3 ^8 u( u/ i9 o0 e$ d. D2 j) r
中心现有固定人员50余人，其中入选国家级人才计划15人，高级职称人员48人，在站博士后6人，博士研究生69人，人员队伍结构合理，形成了“首席科学家-学术带头人-中青年骨干-核心研究员”的人才梯度模式。' Y: ?: S {& x4 j/ _: _
( V, }* j3 ?& r8 r/ d
三、研究方向
0 g* n3 G0 s0 t! Y* O% N. F/ M+ I6 Y) L1 u, v. f
研究方向1：大尺寸高质量宽禁带半导体材料生长
( v8 a' G# E" e9 l1 V; @) N$ W4 |. `) e ]
研究方向2：新型功率器件与系统集成+ \# T+ L0 o; c: @/ W7 G; ~
, B; V4 w( r: w3 y# n研究方向3：先进微波/毫米波器件与集成电路$ P/ i) J. b, O6 o/ S
1 `/ a. J6 B& S+ @3 P- y
研究方向4：先进封装与可靠性分析 u, ^0 Q8 I' p) y! V. D
! h! P: O$ h6 s7 a, p
四、科研条件9 C W; K5 P* N( s- g8 v
( t" P q3 N, Y% G中心现有研发场地超5000平方米，目前已经拥有功率/射频器件及集成电路仿真设计平台、功率/射频器件参数晶圆级测试平台、功率/射频半导体器件与集成电路参数测试专用平台、功率/射频半导体器件及集成电路封装及可靠性分析平台等。
- e6 B, B+ p0 U$ P6 m9 F- e; v: }4 X' ~5 Q1 | e7 e6 N" x
五、科研成果: X! W$ Z0 x" j: K7 d
- x* f& e( z) E1 \/ r* t# ^
中心在功率/射频器件与集成领域的顶级期刊、会议上累计发表学术论文超过1000篇，主办和协办多个域内顶级国际、国内会议，其中2013年以来中心在功率半导体全球最顶级的学术年会IEEE ISPSD上发表论文数居全球第一。
: p" ~. d( I' ~$ v* ~6 r. [3 c5 {6 R' x. n1 T! J
近年来，中心先后承担国家重点研发计划、重大专项、973/173重点项目（课题）以及国家自然科学基金重点项目40余项，研究成果广泛应用于民口装备以及消费电子领域，获得国家级、省部级科技成果奖励30余项，培养出国家级杰出人才和青年人才近20人。与龙头企业华为、中兴、华润微电子、华虹宏力及中国电子科技集团各研究所等相关企业联合开发100余款量产功率/射频产品，广泛应用于汽车电子、工业控制等民用产品中，取得重大社会效益和突出经济效益。 |
|
[复制链接]
发表于 2025-3-21 19:18:54
