|
|
楼主 |
发表于 2025-3-23 10:04:33
来自手机
|
显示全部楼层
haiwangxing 发表于 2025-1-1 00:41
7 O" M, b3 l) A/ U. I4 K重大重点科研项目：1 J. B' \4 P7 P
2 C: ?- N) t" S S! h: p+ i# o, q" E; V
计算机：重大重点类项目 6 项，其中重优基金 1 项（重大项目，全国 10 项）、重点研发 ...
6 M7 ^1 F* { O7 L; p先进功率和射频器件与集成教育部工程研究中心
; j2 m% s' }) E6 U p0 n+ z2 q" }! g0 u( l4 w( }# h1 Y
一、基本概况
}$ O* C. R# B/ d" T; K, B; |9 k/ E# M; P- D9 g ?
2024年教育部批准成立。中心依托电子科技大学集成电路科学与工程学院，聚焦国家高端芯片发展规划，面向卫星通信、航空航天、新型能源、智能电网以及轨道交通对高频、大功率器件与集成芯片的迫切需求，聚焦宽禁带半导体功率/射频器件与集成技术，突破大尺寸高质量的材料生长、新型功率器件与系统集成方法、先进射频器件与电路设计以及封装等方向的研究，结合高校的原始创新研究和企业的实践创新平台及市场敏感度，加强产教融合与科教融汇，加快创新人才培养、加速先进功率/射频芯片国产化、推动宽禁带半导体产业发展。
; z# e3 B. N4 X2 { a
# f s: [) f( E7 L中心主任：罗小蓉 教授
. M3 V j# |; D' L& H+ l+ Q0 S2 C+ ]( D- y
技术委员会主任：苏东林院士* D4 x/ K0 p" Z, V0 B: Z s5 y
7 d& X% K+ n$ C6 q( O
二、人才队伍情况& W2 K+ S$ ^3 ]* R
' S7 }+ `8 I! \0 x
中心现有固定人员50余人，其中入选国家级人才计划15人，高级职称人员48人，在站博士后6人，博士研究生69人，人员队伍结构合理，形成了“首席科学家-学术带头人-中青年骨干-核心研究员”的人才梯度模式。9 w) k( K. V8 |0 G. @
+ L' B' s0 L8 e6 A
三、研究方向) @& \) v! }6 R- ?6 e1 y
! ]! z, Y) E- W研究方向1：大尺寸高质量宽禁带半导体材料生长
: }/ p3 i7 s# @# M& i! K+ ?2 W
/ s4 }% O" H% x研究方向2：新型功率器件与系统集成
# k4 Y; y% o( c2 N& _
0 A, a5 D8 U( v0 B研究方向3：先进微波/毫米波器件与集成电路
$ u6 z# |, i9 X2 U/ P& I% I1 m* m$ K6 N4 a# ~1 K3 j
研究方向4：先进封装与可靠性分析
. T% y5 J' Q C y
6 V! W9 ]; g1 Z7 g" ~. u4 i四、科研条件
0 L! X, ?* k. a! S, l5 ^
, Q& e0 Y P9 E5 j+ s. ?中心现有研发场地超5000平方米，目前已经拥有功率/射频器件及集成电路仿真设计平台、功率/射频器件参数晶圆级测试平台、功率/射频半导体器件与集成电路参数测试专用平台、功率/射频半导体器件及集成电路封装及可靠性分析平台等。
7 t( j+ g, s; J) @& {& X- v
9 F; W1 i% e# T0 P E五、科研成果- v* _0 ]( Y# h) Q
5 t1 S- t7 N; }7 k! y- Z中心在功率/射频器件与集成领域的顶级期刊、会议上累计发表学术论文超过1000篇，主办和协办多个域内顶级国际、国内会议，其中2013年以来中心在功率半导体全球最顶级的学术年会IEEE ISPSD上发表论文数居全球第一。
) E2 k" d9 x! p5 M; K
4 r# d6 }( a/ w0 O- s 近年来，中心先后承担国家重点研发计划、重大专项、973/173重点项目（课题）以及国家自然科学基金重点项目40余项，研究成果广泛应用于民口装备以及消费电子领域，获得国家级、省部级科技成果奖励30余项，培养出国家级杰出人才和青年人才近20人。与龙头企业华为、中兴、华润微电子、华虹宏力及中国电子科技集团各研究所等相关企业联合开发100余款量产功率/射频产品，广泛应用于汽车电子、工业控制等民用产品中，取得重大社会效益和突出经济效益。 |
|
[复制链接]
发表于 2025-3-21 18:03:16
