|
|
楼主 |
发表于 2025-3-23 10:04:33
来自手机
|
显示全部楼层
haiwangxing 发表于 2025-1-1 00:41* a+ Z$ {" g/ ?& p
重大重点科研项目：
z7 B# u4 u2 L" {4 Q- _" Y1 K3 i
! q6 s3 |6 u8 }( i t计算机：重大重点类项目 6 项，其中重优基金 1 项（重大项目，全国 10 项）、重点研发 ...
0 B4 W! q& P+ U. Z" Y先进功率和射频器件与集成教育部工程研究中心
/ ^5 r& w2 z1 Q3 E9 \ J7 \+ X6 M
一、基本概况
6 a/ Z$ N9 l! O% Y8 L" r9 _2 z; _/ o2 @* p# ]: J
2024年教育部批准成立。中心依托电子科技大学集成电路科学与工程学院，聚焦国家高端芯片发展规划，面向卫星通信、航空航天、新型能源、智能电网以及轨道交通对高频、大功率器件与集成芯片的迫切需求，聚焦宽禁带半导体功率/射频器件与集成技术，突破大尺寸高质量的材料生长、新型功率器件与系统集成方法、先进射频器件与电路设计以及封装等方向的研究，结合高校的原始创新研究和企业的实践创新平台及市场敏感度，加强产教融合与科教融汇，加快创新人才培养、加速先进功率/射频芯片国产化、推动宽禁带半导体产业发展。
3 K1 B, Z" J) B6 t& D! K J7 R
6 ?! Z0 y" C' K7 c- G, C8 _中心主任：罗小蓉 教授; |, L( D1 s6 h5 z9 l
& {0 P& |2 ]/ Z! c& n( U- r
技术委员会主任：苏东林院士, L( `* z! o; C* A$ w- D
& B$ W2 Q7 F1 ~/ f; b+ @二、人才队伍情况
; ~4 A% g! R: V" A" q! X7 F% D. \5 n5 Z3 T- S$ Z2 g5 X2 `6 N, m
中心现有固定人员50余人，其中入选国家级人才计划15人，高级职称人员48人，在站博士后6人，博士研究生69人，人员队伍结构合理，形成了“首席科学家-学术带头人-中青年骨干-核心研究员”的人才梯度模式。
2 [/ V" f' }' I+ ?5 S4 q
; t E3 @4 y; x4 @5 f. w三、研究方向
+ Z d( b& v6 }8 H N/ a: c z. C. ^, @9 r( |3 b* G2 X
研究方向1：大尺寸高质量宽禁带半导体材料生长; a0 e) x' D6 \+ p" K) i P s$ @
2 ?& I O C. @" J/ X- m研究方向2：新型功率器件与系统集成
# e% F3 A, [. N% L1 w6 E3 W5 h- H5 e" b! ~7 q& ]
研究方向3：先进微波/毫米波器件与集成电路
+ ?$ j2 ]% a9 `$ A1 l8 k6 n6 e n6 |5 l6 Z
研究方向4：先进封装与可靠性分析- ?' _$ ]% x2 B% a9 `* f; D, n& W
, V* M# J2 [ I7 p四、科研条件
! ^ f) r$ `7 a7 j
- R3 `% l+ r9 A' C. Z* G中心现有研发场地超5000平方米，目前已经拥有功率/射频器件及集成电路仿真设计平台、功率/射频器件参数晶圆级测试平台、功率/射频半导体器件与集成电路参数测试专用平台、功率/射频半导体器件及集成电路封装及可靠性分析平台等。
7 l% W9 g/ c H2 [; d
- s0 V, b3 C6 k& K- k! F五、科研成果
6 M& B8 t" W" h, G. X0 ~% g$ E$ z0 J4 I
中心在功率/射频器件与集成领域的顶级期刊、会议上累计发表学术论文超过1000篇，主办和协办多个域内顶级国际、国内会议，其中2013年以来中心在功率半导体全球最顶级的学术年会IEEE ISPSD上发表论文数居全球第一。
5 ^1 `3 u' ]6 g, r5 a2 S' O# H8 _! Z: Y1 B7 A: _
近年来，中心先后承担国家重点研发计划、重大专项、973/173重点项目（课题）以及国家自然科学基金重点项目40余项，研究成果广泛应用于民口装备以及消费电子领域，获得国家级、省部级科技成果奖励30余项，培养出国家级杰出人才和青年人才近20人。与龙头企业华为、中兴、华润微电子、华虹宏力及中国电子科技集团各研究所等相关企业联合开发100余款量产功率/射频产品，广泛应用于汽车电子、工业控制等民用产品中，取得重大社会效益和突出经济效益。 |
|
[复制链接]
发表于 2025-3-21 18:03:16
