【顶天立地西军电】2026再出发，西电发展记录

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友校发展的好好

shark

DigiDev 发表于 2026-1-4 17:54
不过有一个点：学校教学科研机构里面，单独列出来了4个全重，集成电路学部里面列出了宽禁带这个全重，唯独 ...

这个没有啥可质疑的了吧！牵头的证据一大堆，没牵头有说服力的证据没有。另外这个国重主要是张的团队负责，马负责的是国工。

四蚂蚁

$ B4 b: M2 ?, h大家心情可以理解，一般情况下，全重第一次学术会议在牵头单位开，宽禁带全重三次学术会议如下： ——————————————————————
8 |1 z6 h- ~* p8 G: ` 1、2023年9月6日，南京市人民政府、中国电科指导，国家第三代半导体技术创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在南京大会召开。大会同步召开国家第三代半导体技术创新中心专家委员会会议、宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室学术委员会会议(第一次会议)。http://www.ecict.com.cn/zgdk/1592571/1592492/1786642/index.html
2、2024年11月22日，宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室第一届学术委员会第二次会议在西安电子科技大学广州研究院召开。
  3、2025年12月18日，宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室第一届管理委员会和学术委员会第三次会议在南京召开。
$ M1 o% n' j* s3 }8 c; }3 i3 E; z———————————————————
6 E- M0 U8 A; O+ _8 s第一次会议在南京开，无疑是55所牵头。2025年4月30日，西电团队获“中国青年奖章集体”，在其报道中有一句“牵头建成全国重点实验室…”，这个全重应该是集电，而不是宽禁带。

shark

四蚂蚁 发表于 2026-1-4 18:38
大家心情可以理解，一般情况下，全重第一次学术会议在牵头单位开，宽禁带全重三次学术会议如下： ———— ...

) B5 |7 w5 Z5 o) F+ h  Y集电是啥？难道还有第2个全重？

四蚂蚁

shark 发表于 2026-1-4 19:01
集电是啥？难道还有第2个全重？

以前大家讨论的“集成电路设计全重”。

DigiDev

四蚂蚁 发表于 2026-1-4 18:38
大家心情可以理解，一般情况下，全重第一次学术会议在牵头单位开，宽禁带全重三次学术会议如下： ———— ...

不对，这个说的是宽禁带半导体团队啊，新闻如下：
马晓华宽禁带半导体创新工作室依托宽禁带半导体国家工程研究中心开展建设，是2019年国家发改委批复建设的我国半导体领域关键工程核心团队，承担我国开展以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代新型半导体技术研究开发、成果转化、人才培养、科技合作与交流的重要任务，担负在宽禁带半导体领域打破发达国家技术封锁、自主创新突破发展并推动行业技术发展提升的重要使命。工作室由63名专任教师和工程师团队共同组成，多年来始终聚焦关键核心技术攻关，牵头建设全国重点实验室、国家集成电路产教融合创新平台和该领域高校唯一的国家工程研究中心

shark

四蚂蚁 发表于 2026-1-4 19:07
* `. o: o. ]- ?( G+ F' O以前大家讨论的“集成电路设计全重”。

你要这么理解就更不靠谱了，首先集成电路设计的全重从来没有被证实已获批。其次，集成电路设计是朱课题组主导的，压根跟郝课题组没有关系，五四奖章的新闻稿说的牵头全重根本不可能是这个

YJL2023

雷达探测感知是14、38和西电共建，不知是14牵头还是38牵头

YJL2023

电子对抗实验室的主任现在是丁院

DigiDev

YJL2023 发表于 2026-1-4 20:27
4 X* ?) x, s# U* P1 b雷达探测感知是14、38和西电共建，不知是14牵头还是38牵头

一直是14牵头

蓝色天空

DigiDev 发表于 2026-1-4 19:21
% X1 U7 Y1 Q( u, X' A不对，这个说的是宽禁带半导体团队啊，新闻如下：
马晓华宽禁带半导体创新工作室依托宽禁带半导体国家工 ...

! z4 Q/ I' ^" Y现在这个表述好像改了  可以看看现在的新闻表述

netusecd

shark 发表于 2026-1-4 15:00
  M! d0 f- F/ O5 A( o& x* ~0 K焦和马一是没有行政职务，二是活动能力一般。所以只能校长亲自上了

1 c2 h( _7 b3 O) _# D. v* Y马的活动能力还可以，除了全重，其它平台基本能拿的都拿了。

niefeng007

netusecd 发表于 2026-1-5 10:04
马的活动能力还可以，除了全重，其它平台基本能拿的都拿了。

' S: m. a' ?0 y8 I  d8 B教育部重点实验室被摘牌了

净无痕

niefeng007 发表于 2026-1-5 10:09
# k1 j2 j, _% x/ U教育部重点实验室被摘牌了

还真是，要是还留着现在也能升级成全重了

DigiDev

niefeng007 发表于 2026-1-5 10:09
教育部重点实验室被摘牌了

- ^1 J  Q1 s) G; i+ h摘牌十几年了吧，后来变成陕西省的重点实验室了，又拿了教育部工程研究中心，国家密码科研平台，工业互联网安全产教融合创新平台。全重这块，网安这个团队一直是ISN的一部分，跟通院共建ISN全重。

DigiDev

DigiDev 发表于 2026-1-4 17:54
不过有一个点：学校教学科研机构里面，单独列出来了4个全重，集成电路学部里面列出了宽禁带这个全重，唯独 ...

* e1 ^5 o* w- ]8 @昨天刚说完，今天发现学校主页上，把雷达探测全重也放在教学科研机构里面了。。。

子非鱼007

宽禁带那个怎么不放在这里而是放在集电页面上，有什么讲究？

DigiDev

子非鱼007 发表于 2026-1-5 16:09
* N4 ^% O# J8 }4 u( u宽禁带那个怎么不放在这里而是放在集电页面上，有什么讲究？

在这个页面呢啊，只是划分在了集成电路学部里面，跟国家工程研究中心和产教融合创新平台并列。估计因为目前实体运营的学部就集成电路一个，看看后面怎么变化。

niefeng007

突破二十年纪录：西电联合苏州能讯在IEDM发布超高功率密度GaN射频器件技术
& W- x, }& \' N
近日，由西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授、周弘教授的研究团队与苏州能讯合作，在氮化镓射频功率器件研究中取得重要突破。该项研究通过采用未掺杂的超宽带隙AlN缓冲层并优化其生长工艺，成功制备出具有原子级陡峭AlN/SiC界面的AlGaN/GaN/AlN-on-SiC HEMT，实现了低热阻和创纪录的功率输出密度。该成果以“Low Thermal Resistance X-band AlGaN/GaN/AlN-on-SiC RF Power HEMTs with Record Pout = 41 W/mm and fT×BV = 31 THz·V”为题，发表于全球微电子领域顶级学术会议——国际电子器件会议（IEDM）上。西电周弘教授为第一作者，西电张进成教授、张雅超教授、苏州能讯高能半导体有限公司裴轶博士以及香港大学张宇昊教授为共同通讯作者。合作单位包括航天博目、武汉大学和香港大学。此项研究一举突破了X波段GaN功率器件性能长达二十年的停滞局面，为下一代高功率、高效率射频系统提供了有效的技术路径。

062qq

周弘是集成电路下一个国奖获得者

shark

062qq 发表于 2026-1-6 08:41
: w, Z: u. A& ~1 b' J周弘是集成电路下一个国奖获得者

张团队的，报国奖肯定还是张牵头

Eugengaga

周弘年轻有为，郝院士专门从伯克利挖来的人，只是国奖可能要稍稍？还是希望以团队为重，先把张校送上院士最好

062qq

Eugengaga 发表于 2026-1-6 09:17
' {( V9 g& _" }周弘年轻有为，郝院士专门从伯克利挖来的人，只是国奖可能要稍稍？还是希望以团队为重，先把张校送上院士最 ...

集成电路，每届应该报多几项，他们的项目多得数不过来

062qq

Eugengaga 发表于 2026-1-6 09:17
( {8 U  o' G# j周弘年轻有为，郝院士专门从伯克利挖来的人，只是国奖可能要稍稍？还是希望以团队为重，先把张校送上院士最 ...

. k% M& Y% G) q40岁以下拿国奖，45岁拿第2次，50岁拿第3次，那就没人可以拦路了。

niefeng007

062qq 发表于 2026-1-6 08:41
' B& d! t" P" y5 u7 _周弘是集成电路下一个国奖获得者

' w* A  G- z! V第三代半导体团队的第三代传人，很有希望

niefeng007

半导体十大研究进展候选推荐（2025-036）——突破性能瓶颈！新型氮化镓射频晶体管实现功率密度新纪录
! x& a& F- i  H8 }( b' r! F
/ Q! _/ X" l2 }  i2 Z; I) S   ——突破性能瓶颈！新型氮化镓射频晶体管实现功率密度新纪录

0 F6 k/ B  D" e6 b. U2 E在无线通信、相控阵雷达和卫星通信等高频高功率应用领域，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）凭借宽禁带、高击穿场强和高电子迁移率等固有优势，已成为工业界的核心器件选择。然而，近二十年来，受限于厚成核层及其与衬底界面的高热阻，氮化镓晶体管的输出功率密度纪录一直停滞不前，难以满足下一代射频电子系统对更高功率密度射频器件的需求，成为制约其技术升级的关键瓶颈。
针对这一行业痛点，西安电子科技大学、北京大学、香港大学及中国电科集团第五十五研究所等单位的研究团队联合攻关，实现氮化镓射频晶体管20年来功率密度提升的最大突破，在Nature Communications发表了题为“High power density gallium nitride radio frequency transistors via enhanced nucleation in heteroepitaxy”的重要研究成果，并在2025年半导体器件顶级会议IEDM上做主旨报告。
, R6 \% |8 {5 J4 s- w) Q' }团队创新性地提出了离子注入诱导成核（I³N）技术，通过在碳化硅衬底上进行氮离子注入，构建纳米至微米尺度的表面成核位点，成功抑制了传统的岛状成核模式，实现了薄膜的层状成核、快速融合及缓冲层厚度的大幅缩减，同时保持了低位错密度和高结晶质量，使外延层总热阻急剧下降，成功将氮化镓射频晶体管的功率密度提升至国际最高水平，为高频高功率射频电子器件的发展开辟了新路径。

蓝色天空

niefeng007 发表于 2026-1-6 09:24
+ a* }3 I/ X8 |. r; S& r8 i第三代半导体团队的第三代传人，很有希望

9 q5 v3 b3 x, g5 a: u: u7 K# c1 M4 Q+ e祝杰杰，科技进步一等奖 第四完成人，应该是1989年左右的

062qq

niefeng007 发表于 2026-1-6 10:10
半导体十大研究进展候选推荐（2025-036）——突破性能瓶颈！新型氮化镓射频晶体管实现功率密度新纪录
7 s9 V. H; ?7 o
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第四代氧化镓西电集成电路研究目前是国内第一，这个方向应该能出国奖级别的成果

雁塔晨钟

062qq 发表于 2026-1-6 11:42
% k8 q, j' k& e) {: |( i第四代氧化镓西电集成电路研究目前是国内第一，这个方向应该能出国奖级别的成果 ...

# Z1 d' ~: F" {3 z果酱是肯定的，就看能不能上院士了。