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发表于 2026-2-4 07:15:45
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本帖最后由 四蚂蚁 于 2026-2-4 08:03 编辑 . I, A. F- d5 \ _9 @. Y6 I4 O
8 w# A6 h1 F+ W. J$ ?( m/ w$ J 西电团队:采用微流道冷却技术攻克GaN HEMT热管理难题,实验验证结果远超理论预期,充分展现了微流道冷却的强大效能。) b; k$ x! p7 Q6 i4 X
热特性测试表明,采用微流道冷却后,器件的Rj-a降幅高达65%。在功耗为6.3 W时,器件最高表面温度仅为122℃,较自然空冷下4.3 W功耗时的172℃实现了大幅降低。同时,器件的表面热通量密度提升106%,展现了卓越的热耗散能力。研究还证实,在高达50℃的高环境温度下,该冷却方案依然能保持高效的散热性能,Rj-a降幅仍接近58%,显示了其良好的环境适应性。$ n3 A( \1 n+ Q6 H6 z% G
在电学性能方面,微流道冷却通过高效抑制沟道内的热量积累,从根本上缓解了自热效应。
* {4 G; \4 ^% D, S8 ?; q0 w9 j3 o- r/ B 本研究工作基于西电广州第三代半导体创新中心平台完成。 |
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