【顶天立地西军电】2026再出发，西电发展记录

四蚂蚁

+ H0 m2 X! x3 C9 V/ r     西电团队：采用微流道冷却技术攻克GaN HEMT热管理难题，实验验证结果远超理论预期，充分展现了微流道冷却的强大效能。
; H6 f. z" h! M. A. ?9 b     热特性测试表明，采用微流道冷却后，器件的Rj-a降幅高达65%。在功耗为6.3 W时，器件最高表面温度仅为122℃，较自然空冷下4.3 W功耗时的172℃实现了大幅降低。同时，器件的表面热通量密度提升106%，展现了卓越的热耗散能力。研究还证实，在高达50℃的高环境温度下，该冷却方案依然能保持高效的散热性能，Rj-a降幅仍接近58%，显示了其良好的环境适应性。
     在电学性能方面，微流道冷却通过高效抑制沟道内的热量积累，从根本上缓解了自热效应。
     本研究工作基于西电广州第三代半导体创新中心平台完成。

niefeng007

四蚂蚁 发表于 2026-2-4 07:15
西电团队：采用微流道冷却技术攻克GaN HEMT热管理难题，实验验证结果远超理论预期，充分展现了微流道 ...

张团队成果不断，希望尽快拿国奖

四蚂蚁

四蚂蚁 发表于 2026-2-3 20:33
2 i( v" h' S" L5 d7 c学院(材料学院)在高层次人才、学术梯队、国际交流也取得持续突破，2025年，新增国家级青年人才2位，6 ...

材料学院，零起步，一路走来，不容易。真心感谢周老师、杨老师。